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  • TPS25840-Q1: TPS25840-Q1一直发出滴滴声响的原因？

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS25840-Q1 给TPS25840-Q1上电后一直发出滴滴的声响。 万用表测量电源：VIN=12V，VCC=5V，VOUT（电感L1的PIN2处）=2.69V。 原理图如下附件，请问下这个声响可能是什么原因造成的？ tps25840.pdf
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  • RE: [参考译文] LM5117：不向 FET 输出信号。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Eric、 我已 根据您上次的回复修改了原理图。 特别是我选择的 FET ,我希望你 评估,它们既是 TI FET , 在高侧 CSD19538Q2和在低侧 CSD19505KTT。 我已经附上了一个简短的技术规格表 、该技术规格表是 我将要使用的电感器。 我已经将环路补偿调整为~1kHz。 我将等待您的回应、以便在 PCB 上启动设计。 e2e.ti.com/.../5466…
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  • RE: [参考译文] LM5117：不向 FET 输出信号。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Eric、 我已 根据您上次的回复修改了原理图。 特别是我选择的 FET ,我希望你 评估,它们既是 TI FET , 在高侧 CSD19538Q2和在低侧 CSD19505KTT。 我已经附上了一个简短的技术规格表 、该技术规格表是 我将要使用的电感器。 我已经将环路补偿调整为~1kHz。 我将等待您的回应、以便在 PCB 上启动设计。 e2e.ti.com/.../5466…
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  • RE: [参考译文] TPS55340：TPS55340设计参考

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您使用 E2E 论坛。 对于升压、请遵循 数据表部分中的详细设计流程： 8.2.1.2详细设计流程 对于反激式、您可以使用计算工具： FLYBUCK-Fly-Fly-back-design-CALC —Fly-Buck 和反激式拓扑选择器 TPS55340还提供了许多参考设计： TI 参考设计库 此致、 Stefan

  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：PSR 反激式转换器设计

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ravi 您好、 感谢您与我们联系。 总负载约为~90W、LM25184-Q1无法支持该负载、因为其内部固定电流限制为4.1A 典型值。 相反、我会推荐 LM5185-Q1 PSR 反激式控制器、该控制器采用了外部 FET 和电流检测电阻器。 有关详细信息、请访问 www.ti.com/.../LM5185-Q1。 您还可以使用设计计算器来帮助您进行设计。 有关计算器、请访问 …
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  • RE: [参考译文] TDA4VM：Qt &amp；渲染 QML 应用的许可

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、George、 好的、在您看到 Sync Loss 错误的电路板上、您可以从以下偏移中读回寄存器并共享它们吗？ 偏移量 0x45DC2000中的20 32位寄存器 偏移量0x45DC2100中的10个32位寄存器 此致、 Brijesh

  • RE: [参考译文] TPS2410：使用 TPS2410的双向块电路

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Conor： 欢迎使用 E2E！ 实际上预计会通过理想二极管泄漏。 LM74800和801的工作方式仅有微小的差异、我希望您已经看到这一点。 1.在 LM74801-Q1中、可以通过 EN 引脚打开/关闭控制器。 2/3. 一旦上述条件无效、DGATE 将重新开启。 4. MOSFET 的选择必须确保它们在启动过程中不会发生故障。 浪涌电流限制器可用于 SOA…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391808/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling…
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  • RE: [参考译文] LM25145：请帮助查看电路图

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Winnie、 您的原理图看起来很好。 可能只有3mm x 3mm 的 MOSFET 才会发热、需要考虑这些组件的功率损耗和热管理。 请使用快速入门计算器仔细检查您的组件值、如果您填写 MOSFET 信息、它还将提供估算的 FET 功率损耗、可用于估算温升。 https://www.ti.com/tool/LM25145DESIGN-CALC 希望这对您有所帮助。 -奥兰多…
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  • RE: [参考译文] LM25145：请帮助查看电路图

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Winnie、 您的原理图看起来很好。 可能只有3mm x 3mm 的 MOSFET 才会发热、需要考虑这些组件的功率损耗和热管理。 请使用快速入门计算器仔细检查您的组件值、如果您填写 MOSFET 信息、它还将提供估算的 FET 功率损耗、可用于估算温升。 https://www.ti.com/tool/LM25145DESIGN-CALC 希望这对您有所帮助。 -奥兰多…

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