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  • RE: [参考译文] LM5117：不向 FET 输出信号。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Eric、 我已 根据您上次的回复修改了原理图。 特别是我选择的 FET ,我希望你 评估,它们既是 TI FET , 在高侧 CSD19538Q2和在低侧 CSD19505KTT。 我已经附上了一个简短的技术规格表 、该技术规格表是 我将要使用的电感器。 我已经将环路补偿调整为~1kHz。 我将等待您的回应、以便在 PCB 上启动设计。 e2e.ti.com/.../5466…
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  • RE: [参考译文] LM5117：不向 FET 输出信号。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Eric、 我已 根据您上次的回复修改了原理图。 特别是我选择的 FET ,我希望你 评估,它们既是 TI FET , 在高侧 CSD19538Q2和在低侧 CSD19505KTT。 我已经附上了一个简短的技术规格表 、该技术规格表是 我将要使用的电感器。 我已经将环路补偿调整为~1kHz。 我将等待您的回应、以便在 PCB 上启动设计。 e2e.ti.com/.../5466…
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  • RE: [参考译文] TIDA-00120：48V 系统所需的设计更改

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 即使使用100V FET、接近90V 的输入也会非常高。 请记住、存在可能损坏 FET 和相关电路的固有过冲。 如果探测开关节点、则应能够测量这些过冲。 在此处查看有关测量和缓解过冲的正确方法的文档： e2echina.ti.com/.../8244.Ringing-Reduction-Techniques-for-NexFET-high-performance-mosfets…
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  • RE: [参考译文] TDA4VM：Qt &amp；渲染 QML 应用的许可

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、George、 好的、在您看到 Sync Loss 错误的电路板上、您可以从以下偏移中读回寄存器并共享它们吗？ 偏移量 0x45DC2000中的20 32位寄存器 偏移量0x45DC2100中的10个32位寄存器 此致、 Brijesh
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391808/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling…
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  • RE: [参考译文] CD74HCT221：脉冲宽度与非政治计算的计算值在第一个多谐振荡器输出端不匹配？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Vinay、 Unknown 说： 我们看到~2us 放电时间 (通道0.01uf)相比我们看到通道放电时间为~20us (通道为0.1uf (C28))、这让我想知道进一步降低电容 值会产生什么影响。 这正是我所期望的-在对电容器放电时、内部 FET 进入饱和状态、因此具有恒定电流放电。 10倍电容器= 10倍放电时间。 Unknown 说： 我确实尝试根据测试检查重新计算了…
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  • [参考译文] TPD1S514：如何通过 FET 电流通过计算器件内部的总损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: TPD1S514 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1438815/tpd1s514-how-to-calculate-the-total-loss-inside-the-device-with-fet-current…
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  • RE: [参考译文] TPS23753A：集成 FET PoE 电源

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Francis： TPS23755和 TPS23758都是13W af。 适用于 PSR 且具有集成 PWM CTL +初级 FET +误差放大器的 PD。 两者均为用于 EMI 的固定开关频率+频率抖动、并且均可满足85%的效率以及良好的直流/直流设计。 TPS23755的 CP 引脚专为次级侧二极管整流而设计。 它针对12V–24V 输出应用或在次级侧使用二极管的低成本5V…
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  • RE: [参考译文] LM27403：常见问题39：在直流/直流电源设计工具中为高/低侧 MOSFET 优化 LM27403的逻辑或方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Webench 有助于计算下面的耗散功率图像。 我认为功率耗散和结温是关键限制。 Ron 和 ThetaJA 用于估算 FET 的功率损耗和结温。 数据表中发布了所使用的 ThetaJA 和用于确定热阻抗的标准。 https://www.ti.com/tool/download/LM27403DESIGN-CALC 的产品文件夹中提供了一个 Excel 工作表、 如果您想要更简单的解决方案…
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  • RE: [参考译文] LM27403：常见问题39：在直流/直流电源设计工具中为高/低侧 MOSFET 优化 LM27403的逻辑或方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Webench 有助于计算下面的耗散功率图像。 我认为功率耗散和结温是关键限制。 Ron 和 ThetaJA 用于估算 FET 的功率损耗和结温。 数据表中发布了所使用的 ThetaJA 和用于确定热阻抗的标准。 https://www.ti.com/tool/download/LM27403DESIGN-CALC 的产品文件夹中提供了一个 Excel 工作表、 如果您想要更简单的解决方案…

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