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  • RE: [参考译文] TPS55340：TPS55340设计参考

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您使用 E2E 论坛。 对于升压、请遵循 数据表部分中的详细设计流程： 8.2.1.2详细设计流程 对于反激式、您可以使用计算工具： FLYBUCK-Fly-Fly-back-design-CALC —Fly-Buck 和反激式拓扑选择器 TPS55340还提供了许多参考设计： TI 参考设计库 此致、 Stefan
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…

  • [参考译文] MCT8329A：同步丢失错误

    Other Parts Discussed in Thread: MCT8329A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1567932/mct8329a-loss-of-sync-error 器件型号： MCT8329A 工具/软件： 您好、 我正在使用以下寄存器值配置…
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  • [参考译文] LMG2640：LMG2640、LMG2652 和放大器；LMG2650 的功率损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R044 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516854/lmg2640-powerloss-calculations-of-the-lmg2640-lmg2652…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284426/powerstage-designer-power-stage-designer-5-0 器件型号： 功率级设计器 在 FET Loss 页面上、我认为传导损耗的计算应该是 W、而不是…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284426/powerstage-designer-power-stage-designer-5-0 器件型号： 功率级设计器 在 FET Loss 页面上、我认为传导损耗的计算应该是 W、而不是…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284426/powerstage-designer-power-stage-designer-5-0 器件型号： 功率级设计器 在 FET Loss 页面上、我认为传导损耗的计算应该是 W、而不是…
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  • RE: [参考译文] LMG1020：选择栅极电阻器以最大限度地减小 VDS 振铃

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hitesh、 感谢您深入了解 LMG1020。 根据您的描述、我假设在高侧导通期间开关节点变为高电平、并且在该过程中过冲至低侧 FET VDS 两倍的总线电压。 此外、您还将在降压半桥配置中连接两个 LMG1020、其中高侧 LMG1020使用自举配置供电 下面的链接详细介绍了减少 FET 上振铃的几种不同方法。 首先要确保您看到正确的峰值电压测量、是在 FET 最接近的漏极点和猪尾的近源极或接地点直接使用猪尾测量技术…

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