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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：快速入门设计工具上的功率损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5143-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/962112/lm5143design-calc-power-loss-on-quickstart-design…
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  • [参考译文] TPS563240：高侧 FET 过流保护

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS563240 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1203754/tps563240-high-side-fet-over-current-protection 器件型号…
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  • [参考译文] LM5146：同步 Fly Buck 转换器 Ic 加热

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 , LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1374022/lm5146-sync-fly-buck-converter-ic-heatin…
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  • RE: [参考译文] LM25085：LM25085

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 随附的这个快速入门电子表格将使您能够使用自己的设计参数构建解决方案。 此外、TI 的降压转换器滤波站点还允许您缩小类似器件的范围。 为了缓解 EMC 问题、我强烈建议您查看以下输入滤波器应用手册、并考虑使用具有扩频和针对低 EMC 进行了更优化的降压转换器。 此致、 亨利 快速入门计算器： https://www.ti.com/tool/LM25085-5085QUICK…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392908/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling-mosfets 器件型号： LM5146-Q1 工具与软件： 各位专家、您好！ …
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  • RE: [参考译文] LP87745-Q1：典型的高侧最小导通时间参数

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好， Ishtiaque FET 最大接通时间和最大关断时间为 BUCK1~BUCK3和 BOOST、BUCK 开关频率为17.6MHz、BOOST 开关频率为4.4MHz。 我需要参数来计算 LP8774的开关损耗。
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  • RE: [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] TPS65086：控制器上的最大电流是多少？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 控制器没有绝对最大电流。 最大电流很可能由最大负载时的最低效率或 FET 接受的最大功率耗散决定。 对于需要30A 以上电流的应用、不建议使用驱动强度、因为可能无法满足效率和 FET 要求。 可以使用 NexFET 功率损耗计算器 www.ti.com/.../mosfet-loss-calc 等工具估算效率
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  • RE: [参考译文] LM5143：为输出电压11V- 100A 选择 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 道、 HO 提供高侧 FET 并控制 SW 导通。 HOL 吸收高侧 FET 并控制 SW 关闭。 如果 HO 和 HOL 连接到 FET 或使用相同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将相似。 如果 HO 和 HOL 具有不同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将会不同。 是的、VIN 为 MOSFET 的 VDS (OFF)。 请注意、BUCK "开关损耗"是由过流和电压导致的…
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  • RE: [参考译文] LM5143：为输出电压11V- 100A 选择 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 道、 HO 提供高侧 FET 并控制 SW 导通。 HOL 吸收高侧 FET 并控制 SW 关闭。 如果 HO 和 HOL 连接到 FET 或使用相同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将相似。 如果 HO 和 HOL 具有不同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将会不同。 是的、VIN 为 MOSFET 的 VDS (OFF)。 请注意、BUCK "开关损耗"是由过流和电压导致的…
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  • RE: [参考译文] LM5143：为输出电压11V- 100A 选择 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 道、 HO 提供高侧 FET 并控制 SW 导通。 HOL 吸收高侧 FET 并控制 SW 关闭。 如果 HO 和 HOL 连接到 FET 或使用相同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将相似。 如果 HO 和 HOL 具有不同的栅极电阻器、那么上升和下降时间将会不同。 是的、VIN 为 MOSFET 的 VDS (OFF)。 请注意、BUCK "开关损耗"是由过流和电压导致的…

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