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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146RGYR

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bob： 很抱歉耽误你的时间。 以下是一些评论： 您可能需要使用不同的高侧和低侧 FET (具体取决于输入电压、输出电压以及应在输入电压范围内进行优化的位置)。 将快速入门计算器与 NexFET 选择器工具配合使用： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC。 检查 WEBENCH 也没有坏处。 控制器的…
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  • [参考译文] CSD19534Q5A：MOS 管上部和下部损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD19532Q5B , SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC , CSD19531Q5A , CSD19533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM5642：支持40A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我们通常建议使用 LM25143或2 x LM25148 、而不是 LM5642。 两种备选方案均为42V 最大输入电压。 该应用的最大输入电压、最大输出电压和 fsw 是多少(因为这会影响 FET 选择)？ 我假设40V FET 已足够。 查看我们的 FET 选择器工具 ：https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS…
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  • RE: [参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit， 感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为： ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…

  • RE: [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dharanesh S、您好！ 请尝试使用此工具、查看它是否有助于为此控制器挑选 FET： 1) 1) https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 2) 2) https://training.ti.com/nexfet-synchronous-buck-converter-fet-selection-tool-train…
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • [参考译文] 同步降压- FET 损耗-计算不起作用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075693/sync-buck-fet-loss-calc-doesn-t-work “线程”中讨论的其它部件： 电机驱动器 FET 损耗计算 ， 同步损耗 FET 损耗计算 我们使用的是 Office…
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  • RE: [参考译文] LM5143-Q1：LM5143的设计问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 张晓 这是具有高 RDSon 和 HIH Qrr 的100V FET。 如果 VIN-max 为48V，则可以使用60V FET。 这将降低功率损耗。 了解 TI 的 NexFET 60V FET 产品组合。 在分区中，您可以在以下位置使用 NexFET 计算器工具： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC ，例如，CSD18563Q5A…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Masa-San、 下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A…

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