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  • RE: [参考译文] LM5169：COT 原理和计算配套资料(DCAP)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sienna、 请参阅要用于设计的计算器电子表格。 LM5169-LM5169-FET BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com 希望这对您有所帮助。 David。
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  • RE: [参考译文] CSD19536KTT：CSD19536KTT 零件使用数量计算方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 朴成镇你好、 感谢您关注 TI FET。 对于 120A 的充电/放电电流、您需要并联 4 - 6 个 FET 用于充电和放电器件。 您可以使用以下链接中的负载开关工具进行您自己的估算。 在具有良好散热设计的多层 PCB 上、D2PAK 封装的最大功耗能力为~4W。 以下是 FET 在 120A 和 TJ = 125°C 时计算得出的功率损耗的汇总。 负载开关工具： https…

  • RE: TPS54560: 两片TPS54560DDAR 设计一个24V转±15V 电源，带负载启动时出现启动异常

    请尝试参考下面inverting buck-boost topology相关资源： https://www.ti.com/lit/an/slyt286/slyt286.pdf https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/slva317b/slva317b.pdf https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/slva540/slva540.pdf www.ti.com.cn/.../SWIFTINV-CALC
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  • [参考译文] LM51231-Q1：SNVA991中的可能错误、表2-2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411572/lm51231-q1-possible-error-in-snva991-table-2-2 器件型号： LM51231-Q1 工具与软件： 您好！ 我将尝试计算同步 MOSFET 的损耗…
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  • RE: [参考译文] DRV8316C-Q1：MOSFET 功率损耗估计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Reshma： 您可以在此页面上找到更多信息/视频： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC #支持培训 此致、 Yara

  • RE: LM5145: LM5145的SW在高侧mos导通时也比电源输入低4V,这个正常吗

    请分享下电路图和LM5145 quickstart calculator tool： LM5145DESIGN-CALC Calculation tool | TI.com 以及 FET型号
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  • RE: [参考译文] LM5169：LM5169F 在 Fly-Buck 配置中不能通过次级隔离式输出正常工作。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Dino、 您可以使用您的规格填写计算器电子表格（下面的链接）、以便查看您的原理图、谢谢。 LM5169-EVM BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com David。

  • RE: [参考译文] DRV8350：开关损耗计算&amp；栅极电阻

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我认为这可能有助于回答您的问题： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何其他问题、敬请告知 此致、 亚拉
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  • RE: [参考译文] CSD18540Q5B：功耗和热分析

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 请查看下面链接中的同步升压 FET 选择工具。 我们还为其他拓扑和应用提供类似的工具。 第二个链接指向应用手册、其中包含 TI 针对 FET 的所有基于网络的技术信息的链接。 此工具可让用户根据每千片价格、功率损耗或封装、对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 "公式"选项卡包括用于计算功率损耗的所有公式。 正如我在之前的响应中提到的、CSD18540Q5B…
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  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。 该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。 附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。 我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…

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