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  • RE: [参考译文] DRV8316C-Q1：MOSFET 功率损耗估计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Reshma： 您可以在此页面上找到更多信息/视频： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC #支持培训 此致、 Yara
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  • [参考译文] LM51231-Q1：SNVA991中的可能错误、表2-2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411572/lm51231-q1-possible-error-in-snva991-table-2-2 器件型号： LM51231-Q1 工具与软件： 您好！ 我将尝试计算同步 MOSFET 的损耗…

  • RE: [参考译文] DRV8350：开关损耗计算&amp；栅极电阻

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我认为这可能有助于回答您的问题： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何其他问题、敬请告知 此致、 亚拉
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  • RE: [参考译文] CSD18540Q5B：功耗和热分析

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 请查看下面链接中的同步升压 FET 选择工具。 我们还为其他拓扑和应用提供类似的工具。 第二个链接指向应用手册、其中包含 TI 针对 FET 的所有基于网络的技术信息的链接。 此工具可让用户根据每千片价格、功率损耗或封装、对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 "公式"选项卡包括用于计算功率损耗的所有公式。 正如我在之前的响应中提到的、CSD18540Q5B…
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  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。 该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。 附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。 我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…

  • RE: LM3409-Q1: 以TI的公板为基础修改LM3409-Q1的驱动参数

    I can't say there is anything I know of that is "widely" used. This is not a common use case in automotive LED lighting. If you have the LDP5531EVM then I would probably modify it to see if you can achieve the desired output power. When…
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  • RE: [参考译文] LM5169：带变压器的输出

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Beida 请将包含您的电气规格和组件选择在内的完整 Excel 计算器文件发送给我。 QS 计算器位于 https://www.ti.com/tool/download/LM5169-BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 中 ) - EL

  • RE: BQ24620未按设定电压截止充电

    您好，The sync buck converter needs to refresh the top FET driver BTST cap by turning on the low side FET. It can't achieve 100% duty ratio. The output voltage will have headroom from the input voltage. The power loss will also contribute to the headroom…
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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：低侧 MOSFET 开关损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号： LM5143DESIGN-CALC 工具与软件： 您好、团队： 数据表中提到低侧…
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  • RE: [参考译文] BQ25751：如何在系统电源关闭时设计 BATFET 驱动电路、以及如何在仅在降压模式下充电时设计降压/升压充电 FET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sun、 Unknown 说： 您能否提供一个解释或者它在数据表的说明？ 器件中有一个开关。 Unknown 说： 您能告诉我为什么需要两个 MOS 吗？ 这与电感器 DCR 检测有关、基本上器件必须知道它配置为仅降压充电器、我们无法告知充电器它是仅降压模式。 如果移除 FET、器件将无法正确确定电感器 DCR、这可能导致环路不稳定。 Unknown 说： 并且从 EVM…

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