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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：低侧 MOSFET 开关损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号： LM5143DESIGN-CALC 工具与软件： 您好、团队： 数据表中提到低侧…

  • RE: TPS40200: TPS40200输出Split-Rail Power Supply+/-12V和+/-15V

    您好， 不可以，要用两片 TPS40200。 反 相 输出请参考 PMP7207 参考设计 | 德州仪器 TI.com.cn 高温DCDC器件以尾缀HT标注，rating= High Temp. 如链接器件，没有BUCK-BOOST结构器件。 AC/DC & DC/DC converters (integrated FET) product selection | TI.com AC/DC & DC/DC controllers (external FET) product selection…
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  • RE: [参考译文] TPS53015：TPS53015DGS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alec： 我正在使用 TI 网站上的此表 sync-buck-FET-loss -Calc_Rev1来计算备用部件的功率损耗( TPS40050QPWPRQ1 )适用。 请提供以下数据表中未提供的信息 TPS40050QPWPRQ1。
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  • [参考译文] LM5145DESIGN-CALC：MOSFET 损耗估算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244952/lm5145design-calc-mosfet-loss-estimation 器件型号： LM5145DESIGN…
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  • RE: [参考译文] LM5180：升压转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Christoph、 是的、可以通过更改匝数比来获得 300V 电压、但由于 LMx518x 器件具有内部固定电流限制、因此这取决于峰值开关电流。 如果输出功率要求较高、您可以使用具有外部 FET 的 LMx5185 器件。 请 根据您的设计要求考虑使用设计计算器、 LM5180DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com LM5185-Q1 DESIGN…

  • LM76002: lm76002是否支持负压输出？

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM76002 Other Parts Discussed in Thread: TPS62130 , 在为我的功放选择9V转±12V电源供电方案时，我需要一个buck芯片配置为反相buck-boost拓扑来提供负电压，我注意到了lm76002支持fccm模式和SYNC外部时钟同步，耐压和输出电流也符合我的要求，但是lm76002没有在数据手册中提到可以配置为负压输出，也没有应用手册，比如像tps62130/50那样（这两个的耐压水平不符合我的应用场景）。所以LM76002是否支持负压输出…
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  • RE: [参考译文] TPS43061：推荐使用的 FET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好：大桥三、 谢谢咨询。 对于24V 输出、我强烈建议使用30V 电源块器件、而不是25V 器件。 我们有许多采用3.3x3.3mm SON 封装的产品。 CSD87334Q3D 应具有最低的功率损耗、因为 FET 对称(芯片尺寸和导通电阻相同)、并针对升压转换器等更高占空比运行进行了优化。 CSD87333Q3D 的成本最低、但功率损耗会更高。 它还具有对称的 FET、但导通电阻更高…
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  • RE: [参考译文] BQ25751：如何在系统电源关闭时设计 BATFET 驱动电路、以及如何在仅在降压模式下充电时设计降压/升压充电 FET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sun、 Unknown 说： 您能否提供一个解释或者它在数据表的说明？ 器件中有一个开关。 Unknown 说： 您能告诉我为什么需要两个 MOS 吗？ 这与电感器 DCR 检测有关、基本上器件必须知道它配置为仅降压充电器、我们无法告知充电器它是仅降压模式。 如果移除 FET、器件将无法正确确定电感器 DCR、这可能导致环路不稳定。 Unknown 说： 并且从 EVM…
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  • RE: [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh： 请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
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  • RE: [参考译文] LM5160-Q1：SW 输出波形

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lin： 感谢您确认您使用 Fly-Buck 配置。 请注意、Fly-Buck 运行模式需要3类纹波注入网络(请参阅数据表的第 8.2.2.2.3节) 您的原理图和工作条件与示例看起来不同。 您需要填写计算器 https://www.ti.com/tool/download/FLYBUCK-FLYBACK-DESIGN-CALC。 本 Excel 将指导您如何为 Fly Buck…

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