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  • RE: [参考译文] LM7480：原理图审阅+&quot；Smoke&quot；因为充电输入缓慢上升至超过电池电压。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Damien、 这是 MOSFET 的 SOA 问题。 请在 HGTAE 处添加 R1 和 C DVDT 以控制浪涌电流。 填充设计计算器以查看 MOSFET 的 SOA。 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 Mani。
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  • RE: [参考译文] LM5169：带变压器的输出

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Beida 请将包含您的电气规格和组件选择在内的完整 Excel 计算器文件发送给我。 QS 计算器位于 https://www.ti.com/tool/download/LM5169-BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 中 ) - EL

  • TPS62913: looking for a chip that is pin-compatible with the TPS62913 and has higher efficiency under light 15V input loads.

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS62913 Initially, I chose the TPS62913 as my buck converter chip to achieve better output noise performance, converting 15-17V to 3.5V. However, I overlooked one thing: our demo has a very light load (40mA@3.5V) and needs to control losses…
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  • RE: [参考译文] TPS53015：TPS53015DGS

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alec： 我正在使用 TI 网站上的此表 sync-buck-FET-loss -Calc_Rev1来计算备用部件的功率损耗( TPS40050QPWPRQ1 )适用。 请提供以下数据表中未提供的信息 TPS40050QPWPRQ1。
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  • RE: [参考译文] DRV8353：DRV8353

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Najma、 TI 的 MOSFET 团队拥有一种 Excel 计算器工具、您可能会认为该工具有利于进行评估。 请在下方查看： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 此致！ 阿克沙伊
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  • [参考译文] LM5145DESIGN-CALC：MOSFET 损耗估算

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244952/lm5145design-calc-mosfet-loss-estimation 器件型号： LM5145DESIGN…
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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：低侧 MOSFET 开关损耗

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号： LM5143DESIGN-CALC 工具与软件： 您好、团队： 数据表中提到低侧…
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  • RE: [参考译文] TPS43061：推荐使用的 FET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好：大桥三、 谢谢咨询。 对于24V 输出、我强烈建议使用30V 电源块器件、而不是25V 器件。 我们有许多采用3.3x3.3mm SON 封装的产品。 CSD87334Q3D 应具有最低的功率损耗、因为 FET 对称(芯片尺寸和导通电阻相同)、并针对升压转换器等更高占空比运行进行了优化。 CSD87333Q3D 的成本最低、但功率损耗会更高。 它还具有对称的 FET、但导通电阻更高…

  • RE: TPS40200: TPS40200输出Split-Rail Power Supply+/-12V和+/-15V

    您好， 不可以，要用两片 TPS40200。 反 相 输出请参考 PMP7207 参考设计 | 德州仪器 TI.com.cn 高温DCDC器件以尾缀HT标注，rating= High Temp. 如链接器件，没有BUCK-BOOST结构器件。 AC/DC & DC/DC converters (integrated FET) product selection | TI.com AC/DC & DC/DC controllers (external FET) product selection…
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  • RE: [参考译文] BQ25751：如何在系统电源关闭时设计 BATFET 驱动电路、以及如何在仅在降压模式下充电时设计降压/升压充电 FET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sun、 Unknown 说： 您能否提供一个解释或者它在数据表的说明？ 器件中有一个开关。 Unknown 说： 您能告诉我为什么需要两个 MOS 吗？ 这与电感器 DCR 检测有关、基本上器件必须知道它配置为仅降压充电器、我们无法告知充电器它是仅降压模式。 如果移除 FET、器件将无法正确确定电感器 DCR、这可能导致环路不稳定。 Unknown 说： 并且从 EVM…

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