• DRV8305-Q1EVM: MOTOR-DRIVE-FOC-FET-LOSS-CALC_Rev1.01文档中公式推导

  

  user4321027

  TI 认为已经解决

  Part Number: DRV8305-Q1EVM MOTOR-DRIVE-FOC-FET-LOSS-CALC_Rev1.01中，下面这个公式怎么来的

  • 21 天前
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• RE: [参考译文] LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC：负载开关

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mykhaylo： FemtoFET 是具有可焊接 LGA (基板栅格阵列)焊盘的小型芯片级 FET。 推荐的两种 FET 都具有-20V BVDSS、并将使用12V 输入。 这些 LGA 器件的最大功率耗散约为0.5W。 由于导通电阻较低、CSD25483F4和 CSD25480F3在1.2A 电流下的导通损耗估计分别为335mW 和214mW。 这在软件包的功能范围内…

  • 4 个月前
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• RE: BQ25756: 充电异常

  

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  您好，请参考下面schematic checklist确认电路。 4617.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian Chinese Simplified Hungarian Russian Chinese Tradit…

  • 21 天前
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• RE: OPA549: 输入端没有输入信号，输出端输出信号

  

  Vivian Gao

  已解决

  频率响应曲线看起来与预期不同。R=2Ω似乎有效地衰减了所有频率。 很遗憾听到我的模拟与你的真实世界板测试不匹配。有时，宏模型与硅的行为略有不同，或者板寄生元件会导致差异。 解决这个问题的最佳方法是手动评估缓冲电路的理想RC值。 我们这里有一个很好的文档，描述了这个过程： Calculate RC Snubber.pdf 实际上，我们正试图测量当我们有意在电路中添加电容时，我们看到的频移有多大。 我们确实需要添加足够的电容来有效地移动频率，以测量变化。 或者，您可以使用不同的电容器来代替我推荐的100uF…

  • 15 天前
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• TPS54560: TPS54560

  

  hugh tao

  TI 认为已经解决

  Part Number: TPS54560 tps54560.pdf 您好，我在立创商城看到的这款芯片，按照第24页推荐电路搭建好之后，不能正常输出5v。这个电路中我通过焊接R10或R11或R12来输出3.3v/5v/12v，但是都失败了，测FB脚电压也不是0.9v。然后我改变输入电压，输出电压也会跟着变化。

  • 3 天前
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• BQ40Z50-R1: 保险丝熔断 CELL1 高压异常

  

  Jonas Zhang

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ40Z50-R1 Hi 客户收到1pcs 客诉不良，反馈保险丝熔断，Cell1 出现异常高压4.83V. 还请帮忙看一下。客户的分析和GG文件请参考附档。谢谢 此颗异常电池：三端保险丝已经熔断。但是 BQ40Z50-R1 芯片没有发生任何 PF 异常。从 lifetime 数据看， cell1 voltage 异常时为： 4.83V ， cell2 voltage = 4.388v ， cell3 voltage = 4.392v HQ24U3S1P5C-0119.gg.csv 华勤-U498174PV项目客诉1PCS异常…

  • 1 个月前
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• BQ40Z50-R1: bq40z50-R1在静置过程中FCC变得只有实际一半

  

  user5916746

  Part Number: BQ40Z50-R1 Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50 采样BQ40Z50-R1做3串的项目，目前老化后容量是正常的，静置了一会，环境温度最近比较低，目测温度超过了5度，FCC重新仿真，目前FCC只有约实际的一半，目前设置Load Select为3，Load Mode为1，目前不知道怎么解决容量变小的问题？最好是修改GG文件解决 BQ40Z50-R1-3S.csv TRANSLATE with x English …

  • 2 个月前
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• [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：低侧 MOSFET 开关损耗

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号： LM5143DESIGN-CALC 工具与软件： 您好、团队： 数据表中提到低侧…

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  • 3 个月前
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• RE: BQ40Z50-R1: FCC 衰减和电池激活

  

  Jonas Zhang

  add gg file 17-06-03-9118-BQ40Z50-R4-U4867123PV-2S1P-ID2450-02.gg.csv

  • 1 个月前
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• [参考译文] TPS2492：快速导通 FET 以减少开关损耗

  

  admin

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  Other Parts Discussed in Thread: TPS2492 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1447171/tps2492-turn-on-fet-quicky-for-reduction-switching…

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  • 3 个月前
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