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  • RE: [参考译文] LM5146：关于我的 webench 设计中的 FET 的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mark： 我不知道为什么 WEBENCH 不选择 FET。 LM5146是一款额定电压为100V 的器件、因此100V FET 应该会很好。 如果您可以填写 LM5146快速入门计算器、我可以检查您的设计并推荐一些 FET。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：控制模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 北IDA 是的、这不是问题。 由于 TPS1211-Q1可控制外部 FET、因此这里唯一需要关注的是确保开启/关闭不会违反外部 FET 的 SOA 或可靠性。 我们提供了 SOA 计算器、您可以在下面找到该计算器： https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 TIM

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • RE: [参考译文] LM5185EVM-SIO：更改输出

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Valery、 EVM 专为 16V 1A 输出而设计、一些更改可以实现 24V 0.5A 的设计要求。 需要考虑的主要元件参数是变压器、RFB、RCS 和 COMP 网络。 我认为 EVM 上的初级侧 FET、次级反激式二极管和齐纳钳位应该适合您的用例。 Rset 值固定为 10K、您还可以检查输入和输出电容器。 您可以使用设计计算器来满足您的设计要求、链接： LM5185…

  • [参考译文] DRV7308：开关损耗计算和 Ciss 参数

    Other Parts Discussed in Thread: DRV7308 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1630926/drv7308-switch-loss-calculation-and-ciss-parameter 器件型号： DRV…

  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：电源管理论坛

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…
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  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas： 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…

  • RE: [参考译文] LM5156-Q1：SEPIC 转换器 — MOSFET 过热

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wagner、 我很高兴听到您找到了解决方案！ 我仍然认为很奇怪、由于存在 MOSFET 参数、两个 FET 都应该工作。 此外、IC 的驱动器足够强大、能够正确驱动两个 FET。 关于 FET 中的损耗、请使用功率级设计人员查看损耗在不同条件下 的分布方式 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER — 首先选择您使用的拓扑并插入电路规格，然后选择…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：LM48000原理图审阅和 FET 损坏问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anderson、您好！ SOA 违例会损坏 FET Q1。 您可以使用该工具帮助来设计启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

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