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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
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  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1：LM5137F-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees： 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)？ 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0 FET 选择排序错误

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1421902/powerstage-designer-power-stage-designer…
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  • RE: [参考译文] UCC2897A：二次侧整流器过冲波形

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，黄 是的、测试报告来自 EVM 用户指南 SLUU357、再一次表明您是正确的 Vgs、但从原理图中、栅极信号直接来自相反的 SyncRect FET VDS、只有2R2电阻器存在。 是电荷注入。 由于 R 非常低、如果测试报告中的两个 Vgs 都很干净、我假设两个 SyncRect VDS 都应该非常干净。 添加缓冲器实际上可以减少过冲、但我发现在 ACF Sync Rect…
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…
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  • RE: [参考译文] LM5022：计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器： www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利

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