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  • RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、David、请发送原理图和带有 FET 器件型号的完整快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 TIM

  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：用于具有断开功能的12V/417A Oring 控制器的器件。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Navin、 任何可驱动背对背 FET 的控制器均可实现浪涌保护。 因此 LM74800-Q1也可。 我想您指的是仅 LM74900-Q1具有过流保护功能。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 您可以使用此工具检查 MOSFET SOA。 此致、 S·迪尔
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  • RE: [参考译文] CSD19533Q5A：关于在高电流下并联使用 MOS 管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、盛阳： 感谢您关注 TI FET。 TI 有一个负载开关 FET 选择工具(下面的链接)、可用于确定需要多少个并联 FET 来承载200A 连续电流。 此时、该工具无法并联 FET、但您可以将电流除以 FET 数量、以估算每个 FET 的功率损耗。 对于此应用、除非瞬态电压超过40V、否则您将至少需要一个40V FET。 通常、对于相同的芯片尺寸/封装尺寸、电压较低的 FET…

  • [参考译文] UCC24612：DCM 误导通 — LLC 同步 FET

    Other Parts Discussed in Thread: UCC24612 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1535886/ucc24612-dcm-false-turn-on---llc-sync-fets 器件型号： UC…
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] UCC2897A：二次侧整流器过冲波形

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，黄 是的、测试报告来自 EVM 用户指南 SLUU357、再一次表明您是正确的 Vgs、但从原理图中、栅极信号直接来自相反的 SyncRect FET VDS、只有2R2电阻器存在。 是电荷注入。 由于 R 非常低、如果测试报告中的两个 Vgs 都很干净、我假设两个 SyncRect VDS 都应该非常干净。 添加缓冲器实际上可以减少过冲、但我发现在 ACF Sync Rect…

  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
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  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…
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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

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