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  • [参考译文] LM5141：开关损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A , LM5141 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1549430/lm5141-switching-loss-calculations 器件型号…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…

  • RE: LM5148-Q1: 带负载出现VDDA，VCC，CBOOT，HO，LO引脚对地短路

    我们将不得不进一步调试它。请帮我做以下事情： 您说 4.没有进行过你图上的这种测试，我是在电子负载端，做了动态负载测试，A=0A，B=9A ,输出负载在A和B之间以10A/us的斜率进切换，频率从3Hz-1KHz,均没有出现问题 1.您有进行过此测试的波形吗？ 2.你看到FET或IC有任何损坏吗？还是其他被动因素？ 3.您能填写此设计的快速启动计算器吗： https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 4.您是否更换了电路板上的IC，以检查设计是否重新开始工作…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
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  • RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、David、请发送原理图和带有 FET 器件型号的完整快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 TIM

  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：用于具有断开功能的12V/417A Oring 控制器的器件。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Navin、 任何可驱动背对背 FET 的控制器均可实现浪涌保护。 因此 LM74800-Q1也可。 我想您指的是仅 LM74900-Q1具有过流保护功能。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 您可以使用此工具检查 MOSFET SOA。 此致、 S·迪尔
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  • RE: [参考译文] UCC2897A：二次侧整流器过冲波形

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，黄 是的、测试报告来自 EVM 用户指南 SLUU357、再一次表明您是正确的 Vgs、但从原理图中、栅极信号直接来自相反的 SyncRect FET VDS、只有2R2电阻器存在。 是电荷注入。 由于 R 非常低、如果测试报告中的两个 Vgs 都很干净、我假设两个 SyncRect VDS 都应该非常干净。 添加缓冲器实际上可以减少过冲、但我发现在 ACF Sync Rect…
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…

  • [参考译文] UCC24612：DCM 误导通 — LLC 同步 FET

    Other Parts Discussed in Thread: UCC24612 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1535886/ucc24612-dcm-false-turn-on---llc-sync-fets 器件型号： UC…

  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…

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