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  • RE: LM3409-Q1: 以TI的公板为基础修改LM3409-Q1的驱动参数

    I don't know what you mean by the DLP5531-Q1 public drive circuit? Is this an EVM, app note, or reference design? I need to know the original design before I can recommend how to change it. Can you verify this is the schematic you are referencing…
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  • [参考译文] LM51561H：关于 EN/UVLO/SYNC 引脚的问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5156EVM-BST 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1389589/lm51561h-question-about-en-uvlo-sync-pin 器件型号…
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  • [参考译文] TIDA-00127：PMP21738

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5022 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1486513…
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  • RE: [参考译文] LM7481：MOSFET 故障

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Marius： 都似乎出现了 MOSFET SOA 故障。 启动期间是否打开下游负载？ 请使用此工具来设计您的启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5146：ILIM RC 电路和电流限制问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Benjamin： ILIM 电容仅用于防止 ILIM 引脚电压变为负值。 增加时间常数将影响高占空比(低 toff)下的检测、因为 ILIM 电压下降速度不会像 SW 电压那么快。 请注意、电流限制设定值取决于 Vgs = 7.5V 时的低侧 FET Rdson。 发送快速启动文件以供查看-这是最新版本： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN…
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  • RE: [参考译文] PMP8740：仿真、硬件与放大器；系统设计工具论坛

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mumin： 当然,我可以为你需要的任何帮助:-) 关于 SYNC-FET 额定电压、例如、如果您的最小 Vin 为350V (和最大420V)、并且考虑在此电压下的最大占空比为80%、则需要3.5 NP/NS 匝数比。 这意味着次级侧(半绕组)在输入电压为350V 时的电压将为100V (因此80Vout /100V = 80%占空比)。 在420Vin 时、变压器次级绕组上的电压将为420V…

  • RE: [参考译文] TIDA-01606：寻求有关器件更改的建议

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 可能...UCC21710具有 DESAT OCP 功能。 如果您要增大漏极电流、则必须 为新设计确定相应的 DESAT 阈值。 查看此栅极驱动器 calc 工具、它可以帮助您进行 DESAT 设计： https://www.ti.com/tool/download/SLUC695 您需要将 VOCDET (来自电子表格工具)与 SiC FET 的 IV 曲线对齐。 如果您将电压设置得过低…
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  • [参考译文] TPS6593-Q1：功率耗散计算值

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS6593-Q1 , TPS6594-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407868/tps6593-q1-power-dissipation-calc 器件型号…
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  • RE: [参考译文] TPS53015：TPS53015DGS

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alec： 我正在使用 TI 网站上的此表 sync-buck-FET-loss -Calc_Rev1来计算备用部件的功率损耗( TPS40050QPWPRQ1 )适用。 请提供以下数据表中未提供的信息 TPS40050QPWPRQ1。
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…

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