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• RE: [参考译文] TPS23753A：适用于变压器的24V 和3.3V 多输出设计

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fomi： 感谢您的耐心。 以下次级侧 FET (Q2)的 Vgs 不具有~30V 直流 Vgs 偏置、因为当 Q2导通或体二极管导通时、其源极将接近24V。 以次级侧接地为基准、当 Q2导通时、Vgs = VG - Vs = 29V - 24V = 5V。 SYNC FET 通常用于高电流应用、您可以将 Q2替换为额定电压为100V 的肖特基二极管。 此外…

  • 11 个月前
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• RE: [参考译文] CSD16301Q2：CSD16301Q2能否支持此激光器，其工作电压仅为1.2V？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Wu Shi， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用，但根据激光二极管的规格，它可能会因电流而过载，最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关，且电源接地？ 或者，它是一个高侧负载开关，源是浮动的？ 低侧开关更易于驱动，因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧，必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…

  • 2 年多前
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• RE: LM5146: 情况1：输出接220UF直插铝电解电容后，持续带4.5A（五六分钟）负载MOS管会冒烟损坏，上下管都有损坏情况；情况2：去掉电解电容后，持续带4.5A负载（五六分钟），MOS管没有损坏情况，上管MOS管温度达到76℃，下管也60℃

  

  HAO

  LM5145_quickstart_calculator_A5.pdf 电感型号FAUL1365-100MT，电解电容GR227M063G17RR0VL4FP0

  • 5 个月前
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• [参考译文] CSD88599Q5DC：电机驱动 FET 损耗计算器电子表格不包含电源块部件

  

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  Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC , CSD88584Q5DC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000125/csd88599q5dc-motor-drive-fet-loss…

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  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…

  • 1 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…

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  • 1 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…

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