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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC
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  • [参考译文] TPS2492：快速导通 FET 以减少开关损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2492 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1447171/tps2492-turn-on-fet-quicky-for-reduction-switching…

  • RE: [参考译文] TPS23731EVM-095：TPS23731 二极管整流失败

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hyesu： 输出电压是否一直在增加？ 稳定在某个值吗？ 测试结果是在输出侧还是在有负载的情况下开路？ 从 SYNC FET 到二极管、输出电压 将略有增加、但应仍保持稳定。 您还能测量 VREG 和 VOUT 的电压波形吗？ 此致、 Zhining
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  • RE: [参考译文] LM51772：LM51772 高功率应用验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mohammad： 您可以将 GaN FET 直接连接到 LM51772 — 就像此处 EPC9178_QSG.pdf 一样 。 （这是使用 LM5177 (0) 实现的、但此器件与 LM51772 具有相同的功率级架构和栅极驱动电压电平） 因此、使用 LM51772 时不需要额外的半桥驱动器。 我仍然很难完全了解所需的应用程序设置： 输入电压 24V 或 48V …
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1：LM5137F-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees： 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)？ 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] TPS53015：TPS53015DGS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alec： 我正在使用 TI 网站上的此表 sync-buck-FET-loss -Calc_Rev1来计算备用部件的功率损耗( TPS40050QPWPRQ1 )适用。 请提供以下数据表中未提供的信息 TPS40050QPWPRQ1。
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0 FET 选择排序错误

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1421902/powerstage-designer-power-stage-designer…
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  • [参考译文] TIDA-00127：PMP21738

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5022 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1486513…

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