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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
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  • RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…

  • [参考译文] AM6442：启用开关模式时 PTP 同步丢失

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1428202/am6442-ptp-sync-loss-when-switch-mode-is-enable 器件型号： AM6442 工具与软件： 各位专家、您好！ 在测试过程中、我们发现在 PRU 上启用开关模式 会导致 PTP…
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  • RE: [参考译文] AM6412：PTP：其他接口上的链路雕像更改会导致 PTP 同步丢失

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Daolin： 感谢您的更新、很高兴知道您能够重新创建该问题。 您是否不能简单地将 eth0 添加到同一组播组以确保组播工作（并最终使 PTP 正常工作）？ 我们已经尝试过此操作（适用于 PTP 和普通多播） 。 正常多播请参阅步骤 4： [引述 userid=“595428" url="“ url="~“~/support/processors-group/processors…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…

  • RE: [参考译文] 在低负载下、使用使用辅助绕组和同步整流的 PSR 控制似乎会导致输出电压升高

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rob、 感谢您的答复。 我不是 UCC24612的专家。 当体二极管正向偏置时、它似乎只是导通 FET。 仅 当体二极管为正向偏置时、由栅极驱动器控制的二极管或 FET 才会导通 DCM。 在 DCM 下、当初级侧的 MOSFET 关断时、CP 的 MOSFET 无法在中断期间导通、因为这可能会使反馈电容器放电。 PSR 同步 MOSFET 没有 DCM。 耦合电感的电流可以使用…
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  • RE: [参考译文] TPS23753A：适用于变压器的24V 和3.3V 多输出设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fomi： 感谢您的耐心。 以下次级侧 FET (Q2)的 Vgs 不具有~30V 直流 Vgs 偏置、因为当 Q2导通或体二极管导通时、其源极将接近24V。 以次级侧接地为基准、当 Q2导通时、Vgs = VG - Vs = 29V - 24V = 5V。 SYNC FET 通常用于高电流应用、您可以将 Q2替换为额定电压为100V 的肖特基二极管。 此外…
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  • [参考译文] LM5140ADESIGN-CALC：FET 选择

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5140ADESIGN-CALC , LM5143-Q1 , LM5140-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1009883/lm5140adesign-calc…

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