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• [参考译文] LMG3100R017：LMG3100 开关损耗近似

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1580893/lmg3100r017-lmg3100-switching-loss-approximation 器件型号： LMG3100R017 作为开关节点压摆率的保守估计、“TTR"=“= VIN…

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  • 6 个月前
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• TMS320F280049C: TIDA00961问题咨询

  

  Alps_analog

  TI 认为已经解决

  Part Number: TMS320F280049C // Control Code inline void pfcControlCode(void) { int k=0; // 4x over-sampled current ac_cur_sensed = (float32_t)((AC_CUR_SENSE_FB+AC_CUR_SENSE_2_FB+AC_CUR_SENSE_3_FB +AC_CUR_SENSE_4_FB…

  • 7 个月前
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• RE: [参考译文] CSD19536KTT：Tida 010030

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rajib， 感谢您对 TI FET 的关注。 数据表中公布的最大连续电流是一个计算量，假设 Tcase = 25°C，Tj = Tjmax = 175°C 有关详细信息，请参阅下面的博客链接，该博客解释了 TI 数据表中的最大持续电流规格。 保持 Tcase = 25°C 需要一个“无限”散热器来散热热量。 在实际应用中，通过 FET 的电流受最大功耗的限制，最大功耗保持…

  • 4 年多前
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• [参考译文] LM5148：LM5148RGYR 输出损耗与高负载间的关系

  

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  Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…

  • 1 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

  

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  • 2 年多前
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• RE: LM5146: 情况1：输出接220UF直插铝电解电容后，持续带4.5A（五六分钟）负载MOS管会冒烟损坏，上下管都有损坏情况；情况2：去掉电解电容后，持续带4.5A负载（五六分钟），MOS管没有损坏情况，上管MOS管温度达到76℃，下管也60℃

  

  HAO

  LM5145_quickstart_calculator_A5.pdf 电感型号FAUL1365-100MT，电解电容GR227M063G17RR0VL4FP0

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TPS23753A：具有内置 FET 查询的 PoE 接口放大器转换器控制器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Grady： TPS23755和 TPS23758具有适用于0-3类应用的集成式初级 FET。 它们是 PD +集成 PWM CTL +初级 FET +误差放大器(适用于 PSR)。 TPS23755的 CP 引脚专为次级侧二极管整流而设计。 它针对12V–24V 输出应用或在次级侧使用二极管的低成本5V 应用进行了优化。 此外、TPS23755具有次级侧适配器优先级…

  • 1 年多前
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