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  • RE: MCT8316A: 利用GUI及MSP430F2355LaunchPad调试MCT8316A

    您好， 由于 Motor Lock Mode [MTR_LCK_MODE]配置为自动恢复，所以您应该不会读取到故障。 我们注意到 Maximum Speed [MAX_SPED]仅配置为12.5Hz，这非常低，可能会导致 Motor Lock: Loss of Sync fault. 。 您能否看下电机的最大速度并确保设置了正确的值？

  • RE: [参考译文] DCR010505：电压转换器 IC 的批次/日期代码

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Youhao： 我们目前在其中一些转换器 IC 上遇到生产测试故障、由于 SYNC 引脚上的电容过大(振荡器负载)、我们有三个不同的批次/生产日期代码看起来比其他代码更容易发生故障。 我们正在尝试一种输出电容低得多的新 FET、这种 FET 看起来不会降低振荡器的频率。 我们还需要使用一些可疑的"边际"批次/生产日期代码部分来验证这个新 FET。 …
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  • RE: [参考译文] MCT8316Z：MCT8316Z 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 TG Sachin 在接下来的几天里离开。 我在这里添加一些注释。 与分立式 FET 相比、这是一种内置栅极驱动器的集成式解决方案。 因此、必须根据数据表中提到的器件的绝对最大额定值来评估 SOA。 其中包括最大绝对电压、峰值电流和最高结温。 连续电流额定值的计算必须基于功率损耗和由此产生的温升(Tj)。 可以使用工具 https://www.ti.com/tool/download…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…

  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：PSR 反激式转换器设计

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ravi 您好、 感谢您与我们联系。 总负载约为~90W、LM25184-Q1无法支持该负载、因为其内部固定电流限制为4.1A 典型值。 相反、我会推荐 LM5185-Q1 PSR 反激式控制器、该控制器采用了外部 FET 和电流检测电阻器。 有关详细信息、请访问 www.ti.com/.../LM5185-Q1。 您还可以使用设计计算器来帮助您进行设计。 有关计算器、请访问 …
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  • RE: [参考译文] TDA4VM：Qt &amp；渲染 QML 应用的许可

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、George、 好的、在您看到 Sync Loss 错误的电路板上、您可以从以下偏移中读回寄存器并共享它们吗？ 偏移量 0x45DC2000中的20 32位寄存器 偏移量0x45DC2100中的10个32位寄存器 此致、 Brijesh

  • RE: [参考译文] TPS2410：使用 TPS2410的双向块电路

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Conor： 欢迎使用 E2E！ 实际上预计会通过理想二极管泄漏。 LM74800和801的工作方式仅有微小的差异、我希望您已经看到这一点。 1.在 LM74801-Q1中、可以通过 EN 引脚打开/关闭控制器。 2/3. 一旦上述条件无效、DGATE 将重新开启。 4. MOSFET 的选择必须确保它们在启动过程中不会发生故障。 浪涌电流限制器可用于 SOA…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391808/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling…

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