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  • RE: [参考译文] CSD19536KTT：Tida 010030

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rajib， 感谢您对 TI FET 的关注。 数据表中公布的最大连续电流是一个计算量，假设 Tcase = 25°C，Tj = Tjmax = 175°C 有关详细信息，请参阅下面的博客链接，该博客解释了 TI 数据表中的最大持续电流规格。 保持 Tcase = 25°C 需要一个“无限”散热器来散热热量。 在实际应用中，通过 FET 的电流受最大功耗的限制，最大功耗保持…
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  • [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…
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  • [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…
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  • [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…
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  • [参考译文] 功率级设计器：电源设计器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281827/powerstage-designer-power-designer 器件型号： 功率级设计器 1. 二极管上的功率损耗为什么使用平均值而不是 RMS？ 2. 不会保存 FET Losses…

  • RE: [参考译文] 在低负载下、使用使用辅助绕组和同步整流的 PSR 控制似乎会导致输出电压升高

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rob、 感谢您的答复。 我不是 UCC24612的专家。 当体二极管正向偏置时、它似乎只是导通 FET。 仅 当体二极管为正向偏置时、由栅极驱动器控制的二极管或 FET 才会导通 DCM。 在 DCM 下、当初级侧的 MOSFET 关断时、CP 的 MOSFET 无法在中断期间导通、因为这可能会使反馈电容器放电。 PSR 同步 MOSFET 没有 DCM。 耦合电感的电流可以使用…
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  • RE: [参考译文] TPS23753A：适用于变压器的24V 和3.3V 多输出设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fomi： 感谢您的耐心。 以下次级侧 FET (Q2)的 Vgs 不具有~30V 直流 Vgs 偏置、因为当 Q2导通或体二极管导通时、其源极将接近24V。 以次级侧接地为基准、当 Q2导通时、Vgs = VG - Vs = 29V - 24V = 5V。 SYNC FET 通常用于高电流应用、您可以将 Q2替换为额定电压为100V 的肖特基二极管。 此外…

  • [参考译文] LM5148：LM5148RGYR 输出损耗与高负载间的关系

    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LM5185：变压器更换选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、LT、 感谢 您联系我们。 我建议客户使用 Webench 工具以外的设计计算器来采用 LM5185 进行设计。 LM5185 Webench 模型不启用仿真函数、其变压器库非常有限。 您可以在以下链接找到该计算器： https://www.ti.com/tool/download/LM5185-DESIGN-CALC 。 我刚刚使用设计计算器运行了两个变压器、IMHO ZA9670…

  • RE: LM5146: 情况1：输出接220UF直插铝电解电容后，持续带4.5A（五六分钟）负载MOS管会冒烟损坏，上下管都有损坏情况；情况2：去掉电解电容后，持续带4.5A负载（五六分钟），MOS管没有损坏情况，上管MOS管温度达到76℃，下管也60℃

    LM5145_quickstart_calculator_A5.pdf 电感型号FAUL1365-100MT，电解电容GR227M063G17RR0VL4FP0

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