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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：最大 Fsw

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 谢谢咨询。 CSD88599Q5DC 针对电机驱动应用进行了优化、并使用能够装入封装的最低导通电阻 FET。 我们不建议在高于50kHz 的频率下进行开关、有几个原因。 首先、由于这些是高电荷器件、因此在较高频率下开关和栅极驱动损耗占主导地位、并且功率耗散变得过高。 其次、封装器件的结构与我们的同步降压电源块不同、FET 以相反的顺序堆叠。 在同步降压器件中…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：最大 Fsw

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 谢谢咨询。 CSD88599Q5DC 针对电机驱动应用进行了优化、并使用能够装入封装的最低导通电阻 FET。 我们不建议在高于50kHz 的频率下进行开关、有几个原因。 首先、由于这些是高电荷器件、因此在较高频率下开关和栅极驱动损耗占主导地位、并且功率耗散变得过高。 其次、封装器件的结构与我们的同步降压电源块不同、FET 以相反的顺序堆叠。 在同步降压器件中…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：最大 Fsw

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 谢谢咨询。 CSD88599Q5DC 针对电机驱动应用进行了优化、并使用能够装入封装的最低导通电阻 FET。 我们不建议在高于50kHz 的频率下进行开关、有几个原因。 首先、由于这些是高电荷器件、因此在较高频率下开关和栅极驱动损耗占主导地位、并且功率耗散变得过高。 其次、封装器件的结构与我们的同步降压电源块不同、FET 以相反的顺序堆叠。 在同步降压器件中…
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  • RE: [参考译文] TPS23753：TPS23753如何禁用输出

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 HI PB (高 PB)、 1. APD 引脚用于适配器优先级配置。 禁用 PD 的内部热插拔不常见。 要禁用 PD 的内部热插拔、最好将 DEN 引脚拉至 VSS。 有关更多信息、请查看 www.ti.com/.../slva306a.pdf 的 P13。 2.对于变压器 SYNC-FET 驱动引脚、您可以将其保持断开状态。 此致、 Diang
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：将 FDMC8010DC 替换为 CSD88599Q5DC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mladen、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD88599Q5DC 电源块是电机驱动应用的理想选择。 它已针对此应用进行了优化、包括顶部冷却、并在单个器件的空间中集成了两个 FET。 在电机驱动中、选择 MOSFET 的一个关键因素是导通电阻、因为导通损耗可能是主要的功率损耗。 考虑到这一点、TI 已将极低的导通电阻 FET 集成到这种5x6mm 的 Dual-Cool…
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  • [参考译文] EVM430-F6736：与 HID 通信丢失

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    Other Parts Discussed in Thread: MSP-FET 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1483474/evm430-f6736-communication…
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  • [参考译文] TPS543C20A：外部 SYNC 信号丢失期间的行为

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS543C20A , TPS543B20 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299558/tps543c20a-behavior-during-external-sync…

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