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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：快速入门设计工具上的功率损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5143-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/962112/lm5143design-calc-power-loss-on-quickstart-design…
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  • RE: [参考译文] DRV8432：干扰直流电机设计问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Lily、 使用集成 FET 驱动器可通过不同的方法来减少振铃和过冲/下冲。 针对开关节点振铃的第一道也是最好的防线是适当的布局和足够的输入电容。 这些方法可解决问题的根本原因、从而最大限度地减小振铃振幅并确保最佳效率。 请参阅以下文档并具体阅读有关输出节点布局和大容量电容放置的信息(第5和6节)： http://www.ti.com/lit/an/slva959a…
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  • RE: [参考译文] LM5148：大于预期的输出电压纹波。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 布局对我来说是可以的、从我可以告诉您让输入电容器靠近功率级 FET、本可以使用更多过孔来教训阻抗、到内部布局1 (假设其 GND 层主要是实心覆铜)。 将电流检测反馈与器件进行差分、并将 AGND 连接到器件、模拟元件端接至覆铜。 电容器和 FET 方面有什么改进？ 再回顾电流检测反馈、RC 滤波器应该按如下所示由器件连接。 以下原因导致的不稳定性…
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  • [参考译文] TPS543B20：有关独立模式下的外部同步损耗的问题

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS543B20 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1189993/tps543b20-question-about-external-sync-loss-in-standalone…
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  • RE: [参考译文] TPS1212-Q1：原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ryker、 原理图看起来很好。 请参阅以下建议： -对于故障/WAKE 引脚 — 我知道当引脚变为低电平时 FET 将亮起、但为什么 每个器件引脚连接两个 MCU 引脚有特定用途吗？ -对于连接–请确保栅极和源极引脚没有直接连接/短接。 它看起来并不像它,但它是有点难看到确切的点/连接. -DRAIN 需要连接到 RSNS 电阻器之后的 VBATT 线路上。 请参阅以下内容…

  • RE: [参考译文] CC1352R：是否可以在假设同步关闭之前更改错过的信标的编号

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Marjin。 请参阅 jdlc.h 中定义的 JDLC_MAX_LOW_Beacon： /* The number of consecutive lost beacons that will cause MAC to declare * a sync loss */ #define JDLLC_MAX_LOST_BEACONS 4 谢谢、 玛丽…
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  • RE: [参考译文] LM5146：低侧 MOSFET 在重负载下会发烫

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suy： 我不确定您的 comp 值在1mF 电容下是否稳定。 它的 ESR 是什么？ 稳定性取决于输出电容、ESR 和补偿值。 使用快速入门计算器提高 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 的稳定性 还要确保低侧 FET 周围的布局能够散热。 即 GND 多边形需要连接到一个较大的铜区域、然后散热过孔也会有所帮助。…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392908/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling-mosfets 器件型号： LM5146-Q1 工具与软件： 各位专家、您好！ …

  • [参考译文] BQ51003：销毁 BQ51003

    Other Parts Discussed in Thread: BQ51003 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124038/bq51003-bq51003-destruction 器件型号： BQ51003 这是 Sasaki …
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  • RE: [参考译文] TIDA-00120：48V 系统所需的设计更改

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 即使使用100V FET、接近90V 的输入也会非常高。 请记住、存在可能损坏 FET 和相关电路的固有过冲。 如果探测开关节点、则应能够测量这些过冲。 在此处查看有关测量和缓解过冲的正确方法的文档： e2echina.ti.com/.../8244.Ringing-Reduction-Techniques-for-NexFET-high-performance-mosfets…

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