请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Manikumar、
感谢您关注 TI FET。 MOSFET 是否需要符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准？ 如果是、则 TI 没有产品。 我们的 MOSFET 均不符合汽车标准、也没有计划验证任何 FET 是否符合汽车标准。 我在下面提供了一些链接。 第一个链接是 BLDC FET 选择工具、通过该工具、您可以比较多达 3 种适合您应用的不同 TI FET 解决方案…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fusheng：
感谢您的更新。 从原理图中可以看出、有两个并联的电源块、即 PQ17和 PQ18、这应该没问题、但我会推荐以下链接中的应用手册、以了解有关并联 FET 的指南。 每个 FET 应具有自己的栅极电阻器、用于电流共享并防止两个并联 FET 之间出现栅极振荡。 该设计采用单个高侧和单个低侧栅极电阻器。 最好为每个 FET 将它们分别拆分为单独的电阻器。 开关节点波形上存在电压尖峰…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit，
感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为：
ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
