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  • RE: [参考译文] CSD19536KTT：CSD19536KTT 零件使用数量计算方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 朴成镇你好、 感谢您关注 TI FET。 对于 120A 的充电/放电电流、您需要并联 4 - 6 个 FET 用于充电和放电器件。 您可以使用以下链接中的负载开关工具进行您自己的估算。 在具有良好散热设计的多层 PCB 上、D2PAK 封装的最大功耗能力为~4W。 以下是 FET 在 120A 和 TJ = 125°C 时计算得出的功率损耗的汇总。 负载开关工具： https…
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  • RE: [参考译文] LM7480：MIL-STD-1275E 300W 电源解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Gareth、 请根据您的设计填写以下设计计算器 LM5069： https://www.ti.com/tool/download/LM5069QUICK-CALC LM7480： https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 Mani
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  • RE: [参考译文] CSD19536KTT：此器件是否符合我的要求。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Manikumar、 感谢您关注 TI FET。 MOSFET 是否需要符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准？ 如果是、则 TI 没有产品。 我们的 MOSFET 均不符合汽车标准、也没有计划验证任何 FET 是否符合汽车标准。 我在下面提供了一些链接。 第一个链接是 BLDC FET 选择工具、通过该工具、您可以比较多达 3 种适合您应用的不同 TI FET 解决方案…
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  • [参考译文] LM51231-Q1：SNVA991中的可能错误、表2-2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411572/lm51231-q1-possible-error-in-snva991-table-2-2 器件型号： LM51231-Q1 工具与软件： 您好！ 我将尝试计算同步 MOSFET 的损耗…

  • RE: TPS4810-Q1: 栅极驱动DS短路

    您好 感谢您的信任！ 官方暂时没有相关详细的说明文档以及相关详细的计算公式。官方给您推荐相关辅助文档 https://www.ti.com/lit/an/sluaas8/sluaas8.pdf?ts=1776732194069&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com.cn%252Fproduct%252Fcn%252FTPS4810-Q1 辅助计算器 www.ti.com.cn/.../FET-INRUSH-SOA-CALC https://www.ti…
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  • [参考译文] FET-INRUSH-SOA-CALC：LM74502-Q1 计算器

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    Other Parts Discussed in Thread: LM74502-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1643159/fet-inrush-soa-calc-calculator-for-lm74502-q1 部件号…
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  • RE: [参考译文] DRV8316C-Q1：MOSFET 功率损耗估计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Reshma： 您可以在此页面上找到更多信息/视频： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC #支持培训 此致、 Yara
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  • RE: [参考译文] LM25117：与 LM25148进行比较

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Fred 我在 TI.com https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 上找到了计算器 。 －李家祥
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  • RE: [参考译文] CSD87352Q5D：降压转换器死区时间和击穿相关的波形问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fusheng： 感谢您的更新。 从原理图中可以看出、有两个并联的电源块、即 PQ17和 PQ18、这应该没问题、但我会推荐以下链接中的应用手册、以了解有关并联 FET 的指南。 每个 FET 应具有自己的栅极电阻器、用于电流共享并防止两个并联 FET 之间出现栅极振荡。 该设计采用单个高侧和单个低侧栅极电阻器。 最好为每个 FET 将它们分别拆分为单独的电阻器。 开关节点波形上存在电压尖峰…

  • RE: LM5145: LM5145的SW在高侧mos导通时也比电源输入低4V,这个正常吗

    请分享下电路图和LM5145 quickstart calculator tool： LM5145DESIGN-CALC Calculation tool | TI.com 以及 FET型号

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