请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fusheng：
感谢您的更新。 从原理图中可以看出、有两个并联的电源块、即 PQ17和 PQ18、这应该没问题、但我会推荐以下链接中的应用手册、以了解有关并联 FET 的指南。 每个 FET 应具有自己的栅极电阻器、用于电流共享并防止两个并联 FET 之间出现栅极振荡。 该设计采用单个高侧和单个低侧栅极电阻器。 最好为每个 FET 将它们分别拆分为单独的电阻器。 开关节点波形上存在电压尖峰…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit，
感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为：
ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、
请查看下面链接中的同步升压 FET 选择工具。 我们还为其他拓扑和应用提供类似的工具。 第二个链接指向应用手册、其中包含 TI 针对 FET 的所有基于网络的技术信息的链接。 此工具可让用户根据每千片价格、功率损耗或封装、对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 "公式"选项卡包括用于计算功率损耗的所有公式。 正如我在之前的响应中提到的、CSD18540Q5B…
