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  • RE: [参考译文] LM5642：支持40A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我们通常建议使用 LM25143或2 x LM25148 、而不是 LM5642。 两种备选方案均为42V 最大输入电压。 该应用的最大输入电压、最大输出电压和 fsw 是多少(因为这会影响 FET 选择)？ 我假设40V FET 已足够。 查看我们的 FET 选择器工具 ：https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS…
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC：低侧 MOSFET 开关损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号： LM5143DESIGN-CALC 工具与软件： 您好、团队： 数据表中提到低侧…

  • RE: [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dharanesh S、您好！ 请尝试使用此工具、查看它是否有助于为此控制器挑选 FET： 1) 1) https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 2) 2) https://training.ti.com/nexfet-synchronous-buck-converter-fet-selection-tool-train…
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  • RE: [参考译文] CSD87381P：设计查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Ashish， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD87381P 将与 Vin = 5V 配合使用。 本设备使用30V FET (最小指定 BVDSS = 30V)，ABS 最大 VGS 额定值为+10V/-8V。 下面的链接提供了基于 Excel 的 TI 同步降压 FET 选择工具。 它允许用户输入他们的要求，并根据功耗，封装和1k 价格比较多达3个 TI FET…
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  • RE: [参考译文] DRV8353：DRV8353

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Najma、 TI 的 MOSFET 团队拥有一种 Excel 计算器工具、您可能会认为该工具有利于进行评估。 请在下方查看： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 此致！ 阿克沙伊
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Masa-San、 下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A…
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  • [参考译文] LM5145DESIGN-CALC：MOSFET 损耗估算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244952/lm5145design-calc-mosfet-loss-estimation 器件型号： LM5145DESIGN…
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  • RE: [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh： 请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…

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