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  • [参考译文] LM5145DESIGN-CALC：MOSFET 损耗估算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244952/lm5145design-calc-mosfet-loss-estimation 器件型号： LM5145DESIGN…
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  • RE: [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh： 请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
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  • RE: [参考译文] TPS43061：推荐使用的 FET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好：大桥三、 谢谢咨询。 对于24V 输出、我强烈建议使用30V 电源块器件、而不是25V 器件。 我们有许多采用3.3x3.3mm SON 封装的产品。 CSD87334Q3D 应具有最低的功率损耗、因为 FET 对称(芯片尺寸和导通电阻相同)、并针对升压转换器等更高占空比运行进行了优化。 CSD87333Q3D 的成本最低、但功率损耗会更高。 它还具有对称的 FET、但导通电阻更高…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…
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  • [参考译文] 同步降压- FET 损耗-计算不起作用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075693/sync-buck-fet-loss-calc-doesn-t-work “线程”中讨论的其它部件： 电机驱动器 FET 损耗计算 ， 同步损耗 FET 损耗计算 我们使用的是 Office…
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  • [参考译文] LM5143：TI.com 同步降压 FET 损耗计算器结果可疑？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18563Q5A , LM5143 , CSD18533Q5A , LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357277/lm5143-ti-com-synch…
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  • RE: [参考译文] LM25180：针对 24V 输入的反激式控制器建议申请

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Manjesh 如果是这种情况、我建议使用 LM5185、它是一款带有外部 FET 的 PSR 反激式控制器。 借助外部 FET、您无需提高 NPS、占空比和导通损耗的功率能力。 请使用设计计算器工具（下面的链接）设计您的原理图元件选型。 谢谢你 LM5185-Q1 DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：预充电 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们并不针对控制器器件的外部 FET 提出具体建议、但您可以使用这些 EVM 作为参考设计、我们还提供一个 FET SOA 计算器、供您使用以确保所选的 FET 能够与您的设计参数良好配合使用。 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC https://www.ti.com/product/TPS4811…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：关于 Ciss 的上限

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Masamu： FET 完全导通后、请在无负载的情况下尝试启动并打开负载。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • [参考译文] CSD19534Q5A：非同步升压功率损耗工具缺少参数

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    Other Parts Discussed in Thread: NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC , CSD19534Q5A , LM5156H 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980860/csd19534q5a…

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