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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146RGYR

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bob： 很抱歉耽误你的时间。 以下是一些评论： 您可能需要使用不同的高侧和低侧 FET (具体取决于输入电压、输出电压以及应在输入电压范围内进行优化的位置)。 将快速入门计算器与 NexFET 选择器工具配合使用： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC。 检查 WEBENCH 也没有坏处。 控制器的…
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  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。 该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。 附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。 我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…
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  • [参考译文] LM74930-Q1：设计工具电子表格问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1623813/lm74930-q1-design-tool-spreadsheet-questions 器件型号： LM74930-Q1 高支持 首先、感谢您提供这些设计工具数据表 ( www.ti…
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…

  • [参考译文] LM5180-Q1：FET 的 tr 和 tf

    Other Parts Discussed in Thread: LM5180DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1621284/lm5180-q1-tr-and-tf-of-fet 器件型号： LM5180-Q…
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  • RE: [参考译文] LM74910-Q1：启动期间的 FET SOA 注意事项

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kazuki： 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 请将这些描述给我们。 此致、 Shiven Dhir

  • RE: [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dharanesh S、您好！ 请尝试使用此工具、查看它是否有助于为此控制器挑选 FET： 1) 1) https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 2) 2) https://training.ti.com/nexfet-synchronous-buck-converter-fet-selection-tool-train…

  • LMG2100R044: Request for Technical Support on High No-Load Loss in LMG2100R044 6.78 MHz Half-Bridge Inverter

    TI 认为已经解决
    Part Number: LMG2100R044 Other Parts Discussed in Thread: LMG2100EVM-078 , Dear Support Team, I am currently developing a 6.78 MHz half-bridge inverter based on the LMG2100R044 GaN power stage. The circuit design closely follows the reference design of the…
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  • RE: [参考译文] CSD87381P：设计查询

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Ashish， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD87381P 将与 Vin = 5V 配合使用。 本设备使用30V FET (最小指定 BVDSS = 30V)，ABS 最大 VGS 额定值为+10V/-8V。 下面的链接提供了基于 Excel 的 TI 同步降压 FET 选择工具。 它允许用户输入他们的要求，并根据功耗，封装和1k 价格比较多达3个 TI FET…
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  • RE: [参考译文] LM74910-Q1：LM74910 上的并联 MOSFET 应用

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我分享了一些数据和工具、以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 此外、在使用并联 FET 时、建议使用栅极串联电阻器。 此致、 Shiven Dhir

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