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找到 1,134 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D:如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好,Sajna, 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析,包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式,允许用户根据功耗,封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡,了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] LM5146DESIGN-CALC:VIN =欠压时的 Vout (高侧 FET 上电)

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 , LM25148 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407910/lm5146design-calc-vin-vout-at-brown-out-power…
    • 已回答
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5146:关于我的 webench 设计中的 FET 的问题

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mark: 我不知道为什么 WEBENCH 不选择 FET。 LM5146是一款额定电压为100V 的器件、因此100V FET 应该会很好。 如果您可以填写 LM5146快速入门计算器、我可以检查您的设计并推荐一些 FET。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 此致、 TIM
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1:控制模式

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 北IDA 是的、这不是问题。 由于 TPS1211-Q1可控制外部 FET、因此这里唯一需要关注的是确保开启/关闭不会违反外部 FET 的 SOA 或可靠性。 我们提供了 SOA 计算器、您可以在下面找到该计算器: https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 TIM
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1:电源管理论坛

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas: 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5149:设计问题

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Muhammad Usman、 请填写该器件的快速入门计算器 ( https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC )、并与我分享原理图。 此外、如果您计划将 12V 至 32V 降压至 5V 并具有 5A 的输出电流、 我建议您使用具有集成式 FET 的器件 — 与使用外部 FET 的设计相比、该器件的实现成本更低且更简单…
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM5156-Q1:SEPIC 转换器 — MOSFET 过热

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wagner、 我很高兴听到您找到了解决方案! 我仍然认为很奇怪、由于存在 MOSFET 参数、两个 FET 都应该工作。 此外、IC 的驱动器足够强大、能够正确驱动两个 FET。 关于 FET 中的损耗、请使用功率级设计人员查看损耗在不同条件下 的分布方式 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER — 首先选择您使用的拓扑并插入电路规格,然后选择…
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

    admin
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    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
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