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找到 1,115 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
  • RE: [参考译文] LM74930-Q1:电源管理论坛

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas: 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir
    • 4 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D:如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好,Sajna, 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析,包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式,允许用户根据功耗,封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡,了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5169:COT 原理和计算配套资料(DCAP)

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sienna、 请参阅要用于设计的计算器电子表格。 LM5169-LM5169-FET BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com 希望这对您有所帮助。 David。
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM7480-Q1:LM48000原理图审阅和 FET 损坏问题

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anderson、您好! SOA 违例会损坏 FET Q1。 您可以使用该工具帮助来设计启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好! 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级:30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
    • 2 年多前
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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1:PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗? 当您处于 FPWM 模式时…
    • 5 个月前
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  • RE: [参考译文] LM5069:电源保护

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil: 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
    • 1 年多前
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