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• RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM5169：COT 原理和计算配套资料(DCAP)

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sienna、 请参阅要用于设计的计算器电子表格。 LM5169-LM5169-FET BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com 希望这对您有所帮助。 David。

  • 8 个月前
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• RE: [参考译文] LM7480-Q1：LM48000原理图审阅和 FET 损坏问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anderson、您好！ SOA 违例会损坏 FET Q1。 您可以使用该工具帮助来设计启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TPSM64406：外部同步频率

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 使用 SYNC 频率（外部）时、建议对 RT 引脚电阻进行设置、使器件的内部频率接近外部 SYNC 信号。 这样、在同步丢失的情况下、器件仍然能够正常运行。 这两个频率 (SYNC 和 RT) 差别很大、在某些情况下可能会导致电压纹波增加和输出不稳定。 开关频率会影响环路稳定性以及电感电流纹波、进而影响稳定性。 我建议在系统规定的最小和最大开关频率下测试器件。 只要在这两个频率下都满足您的稳定性和应用要求…

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] LM5122：随着转换器从 DCM 转换到 CCM、8相转换器开始折返输出电压

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jacob： 在负载电容为4700 pF 时、LM5122的上升和下降时间是指定的。 因此、根据 HO、LO 输出后面电路的输入电容、上升和下降时间会有所不同。 您可以在电路中检查 HO 和 LO 在您的图腾柱电路输入上的切换速度有多快。 由于电容应该非常低、因此应该可以观察到 LO 输出的最快上升和下降时间。 顺便说一下、我一般不喜欢这个图腾柱电路、因为它会导致跨导…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] LM5148-Q1：PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗？ 当您处于 FPWM 模式时…

  • 6 个月前
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• RE: [参考译文] CSD18511KCS：针对高电流的 MOSFET 选择

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv： 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少？ 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求？ TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET？ 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…

  • 9 个月前
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• RE: [参考译文] LM5117：无输出电流

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 这些 FET 是具有极高栅极电荷和电容的旧技术器件。 当 Vgs = 7.5V 时、Qg 为200nC、因此开关速度非常慢。 此外、当 VOUT 不会过驱 VCC 时、启动期间将超过 VCC 稳压器的电流限制(最小30mA、典型值42mA)。 每个 FET 的 IVCC = Qg*Fsw = 200nC*220kHz = 44mA。 请选择较低的栅极电荷…

  • 4 年多前
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