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  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：针对高电流的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv： 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少？ 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求？ TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET？ 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…
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  • RE: [参考译文] LM5117：无输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 这些 FET 是具有极高栅极电荷和电容的旧技术器件。 当 Vgs = 7.5V 时、Qg 为200nC、因此开关速度非常慢。 此外、当 VOUT 不会过驱 VCC 时、启动期间将超过 VCC 稳压器的电流限制(最小30mA、典型值42mA)。 每个 FET 的 IVCC = Qg*Fsw = 200nC*220kHz = 44mA。 请选择较低的栅极电荷…
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  • RE: [参考译文] LM5122：随着转换器从 DCM 转换到 CCM、8相转换器开始折返输出电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jacob： 在负载电容为4700 pF 时、LM5122的上升和下降时间是指定的。 因此、根据 HO、LO 输出后面电路的输入电容、上升和下降时间会有所不同。 您可以在电路中检查 HO 和 LO 在您的图腾柱电路输入上的切换速度有多快。 由于电容应该非常低、因此应该可以观察到 LO 输出的最快上升和下降时间。 顺便说一下、我一般不喜欢这个图腾柱电路、因为它会导致跨导…
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  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas： 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…

  • RE: [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：28V DC 到120V DC 转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您与我们联系。 很抱歉给您带来不便。 我们将继续提高 Webench 的覆盖率、但这需要时间。 暂时、请参阅以下链接中的设计计算器以帮助您设计 PSR 反激式器件、包括转换器(集成 FET)或控制器(外部 FET)。 您可以根据功率级别选择合适的器件。 https://www.ti.com/tool/LM5180DESIGN-CALC https…

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