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  • [参考译文] LM5125A-Q1：LM5125-CALC 参数查询

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R026 , LM5125A-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1639562/lm5125a-q1-lm5125-calc-parameter-i…
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  • RE: [参考译文] LM5180：升压转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Christoph、 是的、可以通过更改匝数比来获得 300V 电压、但由于 LMx518x 器件具有内部固定电流限制、因此这取决于峰值开关电流。 如果输出功率要求较高、您可以使用具有外部 FET 的 LMx5185 器件。 请 根据您的设计要求考虑使用设计计算器、 LM5180DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com LM5185-Q1 DESIGN…
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  • [参考译文] LM5143：TI.com 同步降压 FET 损耗计算器结果可疑？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18563Q5A , LM5143 , CSD18533Q5A , LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357277/lm5143-ti-com-synch…

  • [参考译文] LMG36XX-CALC：LMG3522R030RQSR EMI 仿真

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1611930/lmg36xx-calc-lmg3522r030rqsr-emi-s…

  • RE: LM5148: 关于LM5148调压输出PWM模式电感发烫啸叫

    LM5148_36V10A_VB.pdf
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  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D：如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Sajna， 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析，包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式，允许用户根据功耗，封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡，了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…
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  • [参考译文] TPS23730：使用 TPS23730 的有源钳位反激式控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS23730 , UCC24612 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619722/tps23730-active-clamp-flyback-with-tps2…
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  • RE: [参考译文] IWRL6432AOP：IWRL6432_DC-DC 适用性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kim、 MODE/SYNC 引脚是输入。 开漏架构始终指输出、因为晶体管的漏极是受控信号、而不是控制信号。 因此、MODE/SYNC 引脚不是开漏引脚。 MODE/SYNC 等数字输入通常在内部使用具有高输入阻抗的施密特触发器 IC。 但 Ankit 也是对的、FET (Q3) 与 PU（在参考设计中使用）的行为类似于开漏电路。 此致、 Andreas。…
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：预充电 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们并不针对控制器器件的外部 FET 提出具体建议、但您可以使用这些 EVM 作为参考设计、我们还提供一个 FET SOA 计算器、供您使用以确保所选的 FET 能够与您的设计参数良好配合使用。 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC https://www.ti.com/product/TPS4811…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：关于 Ciss 的上限

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Masamu： FET 完全导通后、请在无负载的情况下尝试启动并打开负载。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

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