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  • RE: [参考译文] 建议用于 AON6276(Alpha & Omega Semiconductor Ltd)的 TI 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 维克托您好， 我想让您了解我们的 BLDC FET 选择工具(链接如下)，该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1ku 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何疑问，请通过 TI.com 电子邮件与我联系。 此致， 约翰·华莱士 TI…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jayanthi ： 请使用 LM5145快速入门计算器帮助选择元件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、LM5145 EVM 是采用80V FET 的5V/20A/225kHz。 但是、如果 Vin-max = 48V、您可能会在此处使用60V FET。 此外、还可以查看 LM5145和 LM5146数据表中的应用示例…

  • RE: [参考译文] LM74502-Q1：如何调节 VGS、这样即使在高温下也能调节浪涌电流？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Deepak、您好！ 您可以更改 Rg = 100欧姆、而不是1k。 1k 时、FET 关断时间会更长。 您可以使用该工具来帮助设计启动电路。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 可以使用1.75mF。 220uF 只是一个示例、具体取决于系统要求。 只要外部 FET 可以支持、就可以使用任何 COUT 值。 此致、 Shiven…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：即使存在500mA 电流负载、HGATE MOSFET 也会损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lesheng： 具有500mA +浪涌电流的48V 直流可能超出 MOSFET SOA 的范围。 您可以使用此工具来查看是否有足够的裕量用于带载启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: LM5146: MOS管驱动信号存在振铃

    SYNCIN在此处处于断路状态，因此在内部下拉，这意味着二极管仿真模式已启用。 这将给出您为轻负载操作测量的波形，其中LO在电感器电流接近零时关闭(振铃是两个FET均关闭时与开关节点电容共振的电感器)。 将SYNCIN与VCC绑定以使用固定FSW在FPWM中设置控制器。 顺便说一句,ILIM的上限太高了。 请使用快速启动计算器帮助选择组件。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
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  • [参考译文] LM5149-LM25149DESIGN-CALC：功率损耗限制或警报更新计划

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1211964/lm5149-lm25149design-calc-update…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5145：无负载时电感器过热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用快速入门计算器检查组件损耗与负载电流之间的关系。 此外、对于该特定电感器、请使用电感器供应商的损耗估算器。 电感器看起来非常大、DCR 低于必要值(高磁芯体积会增加磁芯损耗)。 也许可以选择具有平衡磁芯和铜损耗的电感器。 就 FET 而言、与并联3 x 3mm 器件相比、使用5 x 6mm 封装更好。 我认为您绝对需要降低 Fsw 以实现合理的轻负载效率性能。 在48V/1MHz…

  • RE: LM5148-Q1: 带负载出现VDDA，VCC，CBOOT，HO，LO引脚对地短路

    我们将不得不进一步调试它。请帮我做以下事情： 您说 4.没有进行过你图上的这种测试，我是在电子负载端，做了动态负载测试，A=0A，B=9A ,输出负载在A和B之间以10A/us的斜率进切换，频率从3Hz-1KHz,均没有出现问题 1.您有进行过此测试的波形吗？ 2.你看到FET或IC有任何损坏吗？还是其他被动因素？ 3.您能填写此设计的快速启动计算器吗： https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 4.您是否更换了电路板上的IC，以检查设计是否重新开始工作…
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  • RE: [参考译文] LM74912-Q1：DGATE 引脚和 HGATE 引脚之间的开关速度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shunshuke： 理想二极管可通过控制输出电压压摆率来抑制浪涌电流。 在发生这种情况时、FET 会承受应力、必须相应地进行缩放。 此应力因系统而异。 我们提供了一个浪涌 SOA 计算器、可以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 我们在数据表中还提供了 FET 选择指南。 此致、 Shiven Dhir

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