请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Yunus: 您想使用高侧驱动器吗? 我们拥有使用 BQ76200高侧驱动器的参考设计。 请单击 现已问世 查看参考设计列表。 如果需要高侧驱动器、则可以选择 TIDA-00792和 TIDA-010030。 高侧 N 沟道 FET 需要电荷泵型驱动器或其他电源来提供高于 FET 源的电压。 BQ76200高侧 N 沟道 FET 驱动器可与 BQ769x0搭配使用、以控制高侧…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Korcan、
栅极电阻器的100K 应该是可以的。 请参阅此 TI 参考设计、该参考设计也使用相同的值: https://www.ti.com/tool/TIDA-00449
Matt
Other Parts Discussed in Thread: BQ76930 , TIDA-00449 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1172406/bq76930-how-to-calculate-the-rdrian-in…
您好,抱歉回复的晚了。请参考下面内容
I am not sure why they are seeing 0.7mA on Cell 7 - are they measuring the current across by looking at the voltage drop on RF7? Have they tried replacing the IC?
I do see a few things in the schematic that may cause additional problems…