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  • [参考译文] TIDA-00917：栅极环路中的共模扼流圈

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/908026/tida-00917-common-mode-choke-in-the…
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  • [参考译文] TIDA-00917：在 ISO5852中查询自动复位

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00917 , ISO5852S , ISO5851 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system…
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  • [参考译文] ISO5452：TIDA-00917图19 Source CURRENT_RIGHT 和 LEFT 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/695849/iso5452-tida-00917-figure-19-source-current_right-and-left-question 器件型号： ISO5452
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  • RE: [参考译文] LMG3522EVM-042：LMG3522

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好 Subhransu、 感谢您提出 LMG3650EVM-113建议。 恐怕我们无法围绕预发布状态的器件进行设计。 您是否知道何时提供这些服务？ LMG3650R025器件？ 此时、我们考虑不再使用 GaN MOSFET。 尽管与 Si MOSFET 相比速度非常快且性能要好得多 但其复杂性使其难以使用。 我们想探索并联 SiC MOSFET 或 IGBT…
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  • [参考译文] UCC21710：2个并联 SiC MOSFET (在栅极电路中具有 CM 扼流圈)的 UCC21710 Clampi 引脚连接。

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1221866/ucc21710-ucc21710-clampi-pin-connections-for-2-parallel…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：关于多个连接

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 柳 是的，这是可能的，也不常见。 每个 IGBT 都应在靠近每个 IGBT 引脚的位置放置各自的外部栅极电阻器。 由于收集器/发射器短路，只需要一个去共享收集器节点的去饱和 HV 二极管。 我想让大家看看我们为 ISO5852S 驾驶 parllel IGBT 而设计的参考设计。 主要不同之处是，此参考设计有一个您可能不会使用的当前缓冲区，除此之外，该设计是一个良好的起点…
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  • RE: [参考译文] ISO5851：需要 SiC MOS 栅极驱动器帮助

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 John： ISO5852S 没有集成的热关断电路。 我们有许多采用 ISO585X 栅极驱动器的参考设计。 您可以搜索 TIDA-00195、TIDA-00446、TIDA-00917和 TIDA-01606以了解更多详细信息。 如有任何问题、请告知我们。 此致、 熊
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  • RE: [参考译文] MOSFET 驱动电流问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Yi、 如果您向双极晶体管施加大于 VBE 的电压、则允许电流在其集电极和发射极之间流动。 因此、如果栅极电压由于开关噪声而出现瞬态、则两个晶体管将充当钳位、以钳制该瞬态。 对于正瞬态、底部的 PNP 将打开并钳制它、而对于负瞬态、顶部的 NPN 将打开并钳制它。 该电路本质上是自限电路、一旦电压尖峰处于其中一个电源轨的 VBE 范围内、晶体管将开始停止传导并保持电压。…
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  • RE: [参考译文] ISO5852S：RDY t_mute规范

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Jeff-San， 感谢您的确认。 我了解t_mute内部规范 ，并了解自动重置电路的操作，该操作 在 TIDA-0.0917万 的第11页，图10中。 自动重置电路工作正常。 此致， Koshi Ninomiya

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