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找到 364 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: DC-DC电源IC输入和输出压差太大有没有关系？

    压差越大，效率越低，但是这个主要看你对效率的需求，你用WEBENCh就可以选取IC。 关于计算公式参考下面文章 Power Loss of MOS .pdf
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  • RE: [参考译文] TPS92691EVM-001：升压 LED 驱动器的积分补偿

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 图安-圣 感谢您的回复、 我尝试设置积分补偿：增加 Ccomp 并删除 CHF 和 Rcomp。 但 Ccomp 大于特定电容(220nF、470nF、1μF μ F、4.7μF μ F)、相同的阈值(示例如下)变得不稳定。 不稳定阈值示例；36Vout / 490mA、52Vout / 450mA、54Vout / 400mA、57.5Vout / 350mA、 64…
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  • RE: [参考译文] CC8520：我们公司最近生产了 CC8520+CC2590无线耳机、但发现效果不是很好。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我不确定您对设计的期望是什么；如果您将设计的最大距离与我们的参考设计进行比较、这肯定会将问题与电路板的硬件隔离开来。 如果两种设计的性能相同、则必须考虑两个无线节点之间的最大距离( 使用 CC85xx 的实际距离测试应用手册 涵盖了此主题)。 不仅是距离本身、还包括障碍物的类型和尺寸、本底噪声和干扰水平、在封闭空间中的反射或多路径衰减、 这是我们无法对器件和开发板的最大距离进行一般性声明的原因之一…
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  • RE: DM8168启动设置的问题

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    Chris Meng, 您好。 我们修改了根据ddr 时序确定的在796MHz的 time register values : SDRCR, SDRRCR, SDTIMER1, SDTIMR2, SDTIMR3, DDRPHYCR, 修改到了u-boot中对应的EMIF0/1接口参数中； 并根据板子 ddr trace length 确定的 seed value，输入到SW leveling过程程序中，程序得到 最佳 WR DQS,RD DQS, RD DQS GATE值， 并更改到了 u-boot中…
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  • RE: TDA4AH-Q1: gpio中断不响应

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    您好， FAQ文字版内容如下： J7ES had many digital / LVCMOS RGMII interfaces, those interfaces are not present on AHP, and are instead mapped to SERDES/Analog ports. There are many more considerations for this decision including die size and package size that have…
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  • [参考译文] BQ25895：将现有设计移植到 TUSB320 + BQ25895 — 需要帮助了解电源路径

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    Other Parts Discussed in Thread: TUSB320 , PMP4451 , LM2596 , BQ25895 , BQ25890 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1573009/bq25895-porting…
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  • RE: [参考译文] TPS54561：峰值电流模式控制#39；s 优势

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请参阅以下答案： 我们只有 COMP 到 SW 的电流跨导值为17A/V 2.我们没有公开发布此参数，但是7.3.17节中的数据表提供了简化的内部环路模式。 3 、生态模式的电流阈值可能略有变化、但不如内部通常有温度补偿的 RDS (ON)大。 一般情况下、PCM 的环路响应比 VM 更快。 启动 时没有特殊的补偿设计注意事项、因为控制使用内部电压基准的较低电压或…
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  • RE: [参考译文] TPS2388：分类失败、无法进行 Sifos 测试

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Penny： 1.很抱歉、我不确定 SW 器件、因为 RD 辞职。 2.是的，报告显示在同一项目上失败。 由於区域发展中心已辞职，问题已得到解决，所以我只想知道，该上限可以解决哪类问题。 或者、您对 CAP 有什么经验吗？ 非常感谢。

  • LM25085: LM25085EVM demo板 纹波过大

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM25085 大家好， 我运用了这个EVM demo板， Hi， 您好，我这边测试了LM25085EVM 的demo板的输出电压的纹波，输入是12V，输出5V，5V 的纹波能达到188mV，下面是demo板的原理图。 7215.snva375b.pdf 这个纹波我看了规格书不应该这么高，可以帮忙看一下导致的原因以及改进的办法呢？ 谢谢

  • RE: DM8127中SPI boot不能启动

    你好， 请问你是如何修改代码的？是把wr = tiimage_swap32(*rd);改为wr = *rd;么？ 请问你uboot里面除了DDR相关时序部分和endian swap外，其他是否有什么修改? spi flash启动在DM8148 EVM上是可以成功的，而DM8127这部分和DM812x是类似的，所以uboot的代码应该是没有大问题的。 另外有一点，没有JTAG接口的话，DDR SW leveling就没有办法做，这个是必须做的。你们后续的板子上至少要把JTAG的焊点留出来，至少有一块板子上要把JTAG飞线出来做DDR…

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