• RE: 通过IIC读写FRAM时，读出来的值不对

  

  Wellin Zhang

  Zhicheng Yu 注意到你使用的板子为LM4F232H5QC（TM4C123GH6PZ），该芯片并没有FRAM。 不知你所说的读写FRAM是指？EEPROM？

  • 12 年多前
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• RE: [参考译文] CCS/TM4C129ENCPDT：早期电源故障检测和向 EEPROM 写入数据问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 [引用 user="R Sexton"] Tiva 上的 EEPROM 相当慢-写入数据大约需要5ms [/引用] 重新检查数据表、我认为您低估了最坏的情况。 对于外部 EE、我预计最坏的情况为5ms、尽管它们已经改进为优于快速 EE。 [引用 user="R Sexton"]您可以通过 I2C 以1MHz 的频率写入 FRAM。 或20MHz (布局良好等) 具有明显更简单…

  • 7 年多前
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• 关于FRAM分区 ？？

  

  xumin Jiang

  Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR5959 , MSP430FR5949 我用的是 MSP430FR5959， IDE是 IAR。 如何 通过MPU将FRAM， 单独划分出一块区域 Segment 4，用来存储数据，（目的，替代片外的 EEPROM）。

  • 10 年多前
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• RE: [参考译文] CC3220S：查询&quot；闪存 SPI&quot；CC3220的接口

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ CC3220S 器件没有内部闪存。 代码从 RAM 执行、并由 ROM 引导程序从 sFlash (外部 SPI 闪存)加载。 有关 swra515中预期内存使用情况的信息(第2.4.4章) 。 对于 CC3220S 器件(不适用于 CC3220SF)、可能足够2MB 的 SPI 闪存、但4MB 应该更好。 为了存储数据、您可以使用 文件系统 API 将用户文件保存到…

  • 5 年多前
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• RE: [参考译文] TM4C1294KCPDT：EEPROM 耐久性和内置磨损矫正

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 [引用 USER="CB1_MOBILE "]原谅-由于您需要这样做、"稳健的 EEPROM 操作和存储至关重要"-为了避免使用专用 EEPROM 器件、任何潜在的(节省)[大小、成本]是否可以证明 MCU 所造成的额外设计时间/复杂性/风险(将其闪存折弯到此角色)合理？ [/报价] 由于耐久性是一个问题、因此 FRAM 可能是合理的。 Robert

  • 8 年多前
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• FRAM 存储数据?

  

  xumin Jiang

  Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR5949 第一：之前，仪表的设置参数（通信地址、量程、报警设置 ... 等数据），都是 存储在片外的EEPROM芯片 (AT24C02)中。 第二：现在，我打算不在使用，EEPROM芯片 (AT24C02) 存储数据了。直接使用 MSP430FR5949 片上的FRAM替代 片外EEPROM芯片存储的功能。 就像片外EEPROM芯片一样，在程序执行中，可进行读写，掉电不丢失， 第三：《MSP430? FRAM Technology…

  • 10 年多前
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• RE: msp430选型

  

  Butterfly

  可以考虑下MSP430i2020，24位SD，2 SPI，1 UART MSP430内部存储有两种工艺，一种是Flash+RAM存储，内部不集成EEPROM，需要外接，另外一种铁电系列，内部是FRAM，可以当Flash，RAM，EEPROM使用，集三种优势于一体，由软件来分区，支持位操作，速度快，寿命长

  • 10 年多前
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• RE: [参考译文] TM4C1233H6PZ：TM4C1233H6PZ EEPROM 的数据丢失

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尽管您回答正确、但我不排除低电压/电源故障问题。 在主电源发生故障后、我使用电容充电来擦除/写入 EEPROM 的器件、这让我感到非常不安。 EEPROM 或闪存擦除/写入可能需要数百万个时钟周期、并会增加功耗。 FRAM/MRAM 将是更安全的替代方案。

  • 8 年多前
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• [参考译文] MSP430FR5969：FRAM 上的自定义 BSL

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/763223/msp430fr5969-custom-bsl-on-fram 器件型号： MSP430FR5969 您好！ 我已经制作了基于…

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  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] CC3220SF-LAUNCHXL：存储数据说明

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Vasu、 内部 XIP 闪存不用于此目的。 外部 NWP 闪存(sFlash)也不用于记录目的。 它可以使用、但要注意、闪存每个闪存扇区的写入周期数量有限(~100k 个写入周期)。 也许您应该考虑通过 SPI 或 I2C 连接另一个存储器。 外部 EEPROM 或 FRAM 芯片可能更适合您的应用。 在这种情况下、所有这些都将在您的控制下。 1月

  • 6 年多前
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