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找到 188 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: 数据锁存模块

    您好 是的，存在单通道数据锁存模块，这种模块通常被称为非易失性存储器（Non-Volatile Memory）或锁存器（Latch），它们能够在系统断电后保持数据状态。对于您的应用，您可能需要一个具有长期单独供电能力的非易失性存储器模块。 以下是一些可能的解决方案： 超级电容器或备用电池： 您可以使用超级电容器或小型备用电池为锁存模块提供长期供电。当主电源断电时，这些备用电源可以接管并为锁存模块供电，以保持数据状态。 非易失性RAM（NVRAM）： NVRAM 是一种能够在断电后保持数据的…
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  • [参考译文] MSP430FR2433：FRAM-CTPL 资源

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDM-FRAM-CTPL , MSP-EXP430FR6989 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum…

  • MSP430FR2522 Touch design

    Team, 如下图所示 ，有几个问题请教： 1.程序FRAM就是FLASH吗？信息FRAM相当于EEPROM吗？ 2.12KB的ROM包含触摸程序库和驱动程序库可以理解为1.25KB的程序FRAM全部用于写应用代码吗？ 3.搭建环境与调试方法的线上资源可否分享？ Thanks.
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  • RE: [参考译文] TSS721A：MBUS 和 TSS721A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Gareth、 遗憾的是、TSS721A 和 TSS521可用作仪表总线从器件。 这些是 TI 提供的唯一 MBUS 解决方案。 我们确实有一个参考设计( TIDM-FRAM-WATERMETER )展示了该器件作为从器件运行、但我们不准备任何展示 MBUS 和 RS-232/RS-485之间桥接的东西。 最棒的 Danny
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  • RE: [参考译文] MSPM0G3507-Q1：FreeRTOS 和外部存储器示例

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Steve、您好！ 目前、我们的 FreeRTOS 示例相当有限、 此处展示了内核集成情况 。 未来计划提供更多示例、但目前尚未提供。 我们没有任何 用于连接外部存储器的通用示例、例如 SPI 闪存/FRAM 或用于 MSPM0的 SD 卡。 我们确实有通用 SPI 示例、可以用于两种情况。 另外、低32kB 存储器已扩展闪存周期耐久性、并可用作用于 NVM 存储的(仿真) EEPROM…
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  • RE: [参考译文] MSP430F4152 -水/流量计参考

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好， 我不能评论并非源自TI的设计。 有关旧零件的水/流量计的旧宣传材料已停用；但是，您可以在此处找到另一个水表参考设计： https://www.ti.com/tool/TIDM-FRAM-WATERMETER

  • RE: MSP430FR4xx 实现的水表样例程序在哪里，没有找到

    您可以在下面的链接下载 Sercos 3 Communications Development Platform Software (ZIP, 44514 KB) 2014年 10月 3日 (英文內容) www.ti.com.cn/.../TIDM-FRAM-WATERMETER 另附上文档 www.ti.com.cn/.../zhcu093a.pdf
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  • RE: [参考译文] MSP430F5229：有关 EEPROM 仿真实现和磨损矫正的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Leonardo、 感谢您的快速响应。 我已经通读了该线程和 SLAA729A、但我不确定自该线程创建以来的7年中是否有任何变化。 此外、SLAA729A 第2.4节"闪存寿命"中的注释为："如果您的应用面临突破闪存寿命极限的风险、请考虑编写闪存磨损矫正算法或切换到 TI 的基于 FRAM 的 MSP430微控制器之一。"、 这让我深入了解了基于 FRAM 的 MSP430…
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  • RE: [参考译文] TMS320F280025C：使用 HALCoGen 生成 TI FEE 配置文件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Akila、 在将闪存视为数据记录资源("EEPROM 仿真")时、您需要注意以下几个主要问题： 1.闪存编程时间：确保器件数据表中的闪存编程时间符合您的系统要求。 2.与 FRAM 相比、闪存编程和擦除需要更高的功耗(可能几十 mA)。 请参阅"系统电流消耗"下的数据表。 由于技术的固有特性、闪存、特别是嵌入式闪存具有有限数量的可能写入…
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  • RE: [参考译文] EVM430-F6779：构建我们自己的能量计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 您可以在设计中使用 EMDC 生成的代码。 安装 EMDC 时、应已同意许可规定。 您可以通过执行 EMDC 安装过程(无需实际完成安装)来阅读这些文件。 此外、应在 EMDC 生成的代码的顶部包含一些许可信息。 您应该也能够在 CCS 中通读该内容。 但愿这有所帮助。 关于 EEPROM、EMDC 不需要它运行。 外部 EEPROM 是数据记录的另一个选项。 请看一下以下讨论…

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