搜索提示
找到 1,078 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • [参考译文] TDA4VM-Q1：摄像头格式不匹配

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1606431/tda4vm-q1-camera-format-mismatch 器件型号： TDA4VM-Q1 大家好、我使用的是 j721e 定制电路板。 我启动了一个具有 UYVY 输出格式的摄像头。 在此过程中、传感器的格式化为…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS40210：Rg 是否是外部栅极电阻器和 MOEFET 内部栅极电阻器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bryan 您可以推荐如何 为 EQ30选择合适的 Q1值 我当前设计中的 Q1是 fdms86101-d https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fdms86101-d.pdf Rgate 是否为3欧姆？ VDD 的设计为12V、Qg 是否为33nC？ 则外部电阻器为(105/33)- 3=0 -->这是否意味着我可以为外部电阻器输入0欧姆电阻器…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS40210：Rg 是否是外部栅极电阻器和 MOEFET 内部栅极电阻器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bryan 您可以推荐如何 为 EQ30选择合适的 Q1值 我当前设计中的 Q1是 fdms86101-d https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fdms86101-d.pdf Rgate 是否为3欧姆？ VDD 的设计为12V、Qg 是否为33nC？ 则外部电阻器为(105/33)- 3=0 -->这是否意味着我可以为外部电阻器输入0欧姆电阻器…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS40210：Rg 是否是外部栅极电阻器和 MOEFET 内部栅极电阻器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bryan 您可以推荐如何 为 EQ30选择合适的 Q1值 我当前设计中的 Q1是 fdms86101-d https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fdms86101-d.pdf Rgate 是否为3欧姆？ VDD 的设计为12V、Qg 是否为33nC？ 则外部电阻器为(105/33)- 3=0 -->这是否意味着我可以为外部电阻器输入0欧姆电阻器…
    • Answered

  • [参考译文] AM62A7-Q1：rootfs 中的系统时间

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: AM62A7 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1444497/am62a7-q1-system-time-in-rootfs 器件型号： AM62A7-Q1 主题中讨论的其他器件： AM62A7 工具与软件：…

  • MSP-EXP430F5529LP: 我的MSPEXP430F5529LP在运行PGA460 GUI的闪存编程时总是出错

    TI 认为已经解决
    Part Number: MSP-EXP430F5529LP Other Parts Discussed in Thread: PGA460-Q1 , MSP430F5529 , MSP-FET , UNIFLASH 每当我使用F5529LP开发板连接到电脑，然后打开PGA460-Q1 GUI进行闪存编程bat文件烧写时，都会弹出如图所示报错 尽管我已经进行了one_time_setup.bat文件的运行，以及同级文件夹的检查，依旧会出现报错 之后电脑便识别不到LP板子了，设备管理器中的端口消失，仅能被识别为一个大容量存储设备…
    • Answered

  • [参考译文] TDA4VL-Q1：更新 MCU (DM) R5F 固件二进制文件 tispl.bin 后、器件无法启动

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1457664/tda4vl-q1-device-can-not-bootup-after-updating-mcu-dm-r5f-firmware-binary-tispl-bin 器件型号： TDA4VL-Q1 工具与软件： 尊敬的…

  • [参考译文] TDA4VH-Q1：PROC141E3 TI EVM 板中的平衡 T 拓扑布线方法

    Other Parts Discussed in Thread: TDA4VH-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1359970/tda4vh-q1-balanced-t-topology-routing-method-in-proc141e3-ti-evm-b…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LMR38020-Q1：旁路电容器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Chin， 从 EVM 建议看,请看输入侧有33大容量和2.2uf+100nf+1nf MLCC https://www.ti.com/lit/ug/snvu817/snvu817.pdf?ts = 1699849573491和 ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FLMR38020-Q1 如果您也可以设计25k…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LMR38020-Q1：旁路电容器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Chin， 从 EVM 建议看,请看输入侧有33大容量和2.2uf+100nf+1nf MLCC https://www.ti.com/lit/ug/snvu817/snvu817.pdf?ts = 1699849573491和 ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FLMR38020-Q1 如果您也可以设计25k…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。