Part Number: TMS320C6727B Other Parts Discussed in Thread: TMS320C6726B 我使用的DSP型号是TMS320C6727B,对应的内部RAM地址为0x10000000——0x1003FFFF,对应Flash的地址为0x90000000——0x9FFFFFFF,自己编写C语言与汇编语言程序进行二次引导操作。C语言程序是将hex文件中的数据按地址写进Flash中。汇编语言程序进行二次引导操作,即EMIF配置、将Flash数据拷贝到RAM相应的位置…
Part Number: TMS320C6727B 我的电路板采用FPGA与DSP两块核心芯片,共用一块Flash。DSP使用的是TMS320C6727B,Flash使用的是SST39VF800A。在使用DSP对Flash芯片进行二级bootloader代码烧写时,出现了以下问题,且烧写未成功。
1.在烧写前按下电路板上DSP对应的复位按键,然后点击CCS软件中的运行,程序无法运行,且会出现错误:No source available for ”0x1ddc”
2.在烧写过程中按下电路板上DSP对应的复位按键…
Part Number: TMS320C6727B Other Parts Discussed in Thread: TMS320C6748 如图所示是C6727与外部异步16位flash连接图。
如果我要向flash地址为0x0001的空间写数据,那么对应的DSP地址应该是多少?
如果我要向flash地址为0x0005的空间写数据,那么对应的DSP地址应该是多少?
想求一个具体解释,谢谢。
C6727对应的Flash地址为0x90000000—0x9FFFFFFF。
Part Number: TMS320C6727B
用示波器观察到如图所示的波形。其中蓝色为flash器件的时钟,即EM_CLK,频率为55MHz。黄色为CE信号,绿色为WE信号。为什么在CE信号为低电平
的时间段内,WE信号会出现一次高电平的变化呢?正常WE应该是一直保持低电平。是我的时序寄存器配置的有问题吗,还是其他原因
Part Number: TMS320C6727B 您好,我使用的Flash型号是SST39VF800A,DSP分配给Flash的地址为0x90000000——0x9FFFFFFF。下面是我的实验过程以及在实验过程中发现的问题。
根据数据手册,flash进行读操作时,片选信号CS_2和输出使能OE均为低,且读操作是在OE的上升沿进行。所以我编写了一个VHDL程序,对“CS_2 OR OE”这个信号的上升沿进行计数。计数器cnt每增加1,就说明进行了一次读操作。这个VHDL程序经过测试是没有问题的…