Part Number: TMS320C6727B
用示波器观察到如图所示的波形。其中蓝色为flash器件的时钟,即EM_CLK,频率为55MHz。黄色为CE信号,绿色为WE信号。为什么在CE信号为低电平
的时间段内,WE信号会出现一次高电平的变化呢?正常WE应该是一直保持低电平。是我的时序寄存器配置的有问题吗,还是其他原因
Part Number: TMS320C6727B 您好,我使用的Flash型号是SST39VF800A,DSP分配给Flash的地址为0x90000000——0x9FFFFFFF。下面是我的实验过程以及在实验过程中发现的问题。
根据数据手册,flash进行读操作时,片选信号CS_2和输出使能OE均为低,且读操作是在OE的上升沿进行。所以我编写了一个VHDL程序,对“CS_2 OR OE”这个信号的上升沿进行计数。计数器cnt每增加1,就说明进行了一次读操作。这个VHDL程序经过测试是没有问题的…
Part Number: TMS320C6727B Description Resource Path Location Type section flashtest.out(.const) was padded by 2 to a size of 8292 to null: section flashtest.out(.const) was padded by 2 to a size of 8292 to flashtest C/C++ Problem
其中flashtest是工程名,flashtest…
Part Number: TMS320C6727B Other Parts Discussed in Thread: TMS320C6727 , TMS570LS3137 您好:
最近在阅读TMS320C6727 RTI相关手册时,对于寄存器中某些位属性描述不太理解,在手册中也没找到说明,想请教一下
1.RTIINTFLAG寄存器的bit0 手册描述的属性位RCP,对于P的含义手册没有说明。请问P是什么含义呢?对于RCP来说是可读,可以通过对某位的写清除该位么?
还有的位描述位R/WP,也是没理解是什么含义…