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  • RE: [参考译文] TMS470MF06607：加载 FlashEABI 示例代码时出现问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Chris， 很抱歉，我对 TMS470M 的了解有限。 您在哪里找到 了 FlashEABI_Flash 示例。 查看 TMS470Mx 的壁龛生成器，下面仅提供了一些示例。 如果加载程序时遇到问题，您是否可以先尝试加载这些已知示例？ 如果正确加载这些示例，则可以更轻松地隔离问题并加载其它不随壁龛生成程序一起提供的程序。
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  • [参考译文] TMS470MF06607：仅与 VSS、VSS 和 OSCIN 进行 JTAG 通信

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    Other Parts Discussed in Thread: TMS470MF06607 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1052682…
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  • RE: [参考译文] TMS470MF06607：通过 JTAG 进行通信、无需外设芯片

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 您似乎有一篇重复的文章，我已经在 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1052682/tms470mf06607-jtag-communication…
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  • [参考译文] TMS470MF03107：推荐采用 micro SD 的控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: TMS470MF03107 , TMS470MF04207 , TMS470MF06607 , TMS570LC4357 , RM48L740 , TMS570LS3134 , RM48L950 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers…
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  • TMS470MF06607 BootLoader调转到APP后，APP中断无法正常调用。

    Other Parts Discussed in Thread: TMS470MF06607 您好： 我现在用TMS470MF06607，在BootLoader调转到APP时，APP调用的中断，无法正常调用。APP起始地址为0x10000, loader地址为0起始，但是调转到APP后APP调用的中断总会调转回loader的PC地址。请问这是什么问题？
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  • RE: [参考译文] TMS470MF06607：示例引导加载程序和示例闪存驱动程序

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 此器件的闪存 API 可在以下位置找到： https://www.ti.com/tool/F035FLASHAPI 下面是基于 CAN 的引导加载程序的应用手册。 https://www.ti.com/lit/pdf/spna200

  • RE: [参考译文] CCS/TMS470MF06607：如何将项目从 CCS5迁移到最新的 CCS10

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您当前使用的编译器版本是什么、您计划升级到哪个版本的编译器(CCS 10附带 ARM 编译器20.2.0)？
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  • RE: [参考译文] TMS470MF06607：闪存或 RAM 中的一个位置及其处理错误或损坏。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请参考 HALCoGen ( 高级抽象层代码生成器)中的 FEE (闪存 EEPROM 仿真)驱动程序。 如何处理闪存区域的故障取决于故障机制。 通常、由于写入擦除周期数量超过而导致的生命周期结束故障是指无法擦除扇区。 在这种情况下、不应再 使用整个扇区。 编程操作过程中出现故障、可能会跳过该位置并在其他位置重新编程。
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  • [参考译文] TMS470MF06607：TMS470MF06607 EEPROM 仿真闪存的写入周期。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/891046/tms470mf06607-write-cycles-for-tms470mf06607…
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  • RE: [参考译文] TMS470MF06607：CAN 协议及其与 TMS470MF06607的应用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、我们只在这里讨论这个问题。 感谢 Bob、 Anil D.

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