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  • [参考译文] BQ76952EVM：DISCAHRGE 中的 BQ7695202短路无法正常工作

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1439073/bq76952evm-bq7695202-short-circuit-in-discahrge-not-working-properly 器件型号： BQ76952EVM 工具与软件：…
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  • RE: [参考译文] BQ3050EVM-001：CUV 条件后充电

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 n`t 从 EVM sch 中了解，CHG 和 DSG FET 是 PACK+端子的串联，如果有 FET 关断，PACK+端子将与电池隔离，并且没有电流为电池充电，那么，它是不是这样？ 2. 在我的案例中，CUV 阈值= 3380mV，CUV 恢复= 3450mV。 CUV 条件之后，移除负载(电池托架)将逐渐将电池电压增加到3900mV 左右，但 CUV 条件仍然不能清除.…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z50：CHG 和 DSG 引脚的电压电平

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Archie、 最重要的是 Vgs 电压与 Vth 的比较。 CHG 和 DSG 以 BAT 和 PACK 为基准、导通电压表示 Vgs 为11.5V 左右。 数据表中说明了如何参考这些信号： 因此、是的、VFET 导通不以0V 为基准、而实际上是 FET 的源极电压。 它使用电荷泵实现此目的。 您可以看到、与 GND 相比、它的电压非常高。 对于 CHG 和 DSG…

  • [参考译文] BQ77915：UV 故障

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1183914/bq77915-uv-fault 器件型号： BQ77915 我使用 BQ7791508PW IC 设计 BMS、 并附上了我的参考 deisgne2e.ti.com/.../4s_5F00_BMS_5F00_SSC…
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  • [参考译文] BQ77908A：BQ77908 EVM 4S 和8S

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ77908A , BQ77915 , BQ76920 , BQ76930 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1079245/bq77908a-bq77908-evm-4s…
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  • RE: [参考译文] BQ34Z100-G1：睡眠/唤醒主器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Emre、 您应该能够使用 CHG 和 DSG 位来发出充电和放电警报。 当满足 VCT 条件时( 当 Voltage ()> Charging Voltage (充电电压)–Charging Taper Voltage (充电锥电压))、CHG 会清除 您可以查看 EVM 原理图、了解如何实现警报和 TS 操作。 此致、 Wyatt Keller
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  • RE: [参考译文] LM5116：CSG、DEMB 布局问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的反馈。 我已经检查了 EVM 并 发现电流感应电阻器符合 DSG、DEMB 布局为单线、直到中间、然后分离。 您能不能帮助我更好地理解 EVM 的产生原因。 e2e.ti.com/.../LM5116-DEMB-CSG.pdf
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  • RE: [参考译文] GPCCHEM：我们如何在不使用 bqStudio 的情况下设置化学 ID

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sila： 我将用两部分来说明我的回答：关于如何将 BQStudio 与您的 MCU 合并的建议以及如何使用 BQStuido。 如果客户不使用 BQStudio 等软件、并且您希望继续这样做、那么我们不支持客户使用电池监控器、该监控器会为您提供示例代码来自行设计电池算法。 不过、如果您决定继续使用 BQStudio、我还附加了一个文档、该文档允许您将"黄金映像"上传到 MCU…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z80：BQ40Z80 DSG 电压在放电期间下降

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好！ 我使用的是2400、但它不是 EVM、而是专为 EVM 我的电路板设计的 EVM。 GG 处于连接状态。 这种情况仅出现在高电流放电中、因为标称电流放电正常。 DSG 泵在一段未定义的时间内似乎没有足够的功率并且会发生过载。 DSG 中有2个 IRF7842和10M 上拉电阻器。 情况会随机发生。 e2e.ti.com/.../YARZ_5F00_TEST.gg…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z80EVM-020：如何控制Q2和Q3 FET (CHG和DSG)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好Jose， 仪表的CHG和DSG引脚是带充油泵的栅极驱动器，用于生成浮动参考。 因此，仪表可控制FET何时打开和关闭。 它可以将此作为保护自动控制，也可以使用BQstudio的内置命令进行手动控制。 如果需要，您还可以添加外部控制，但在EVM上，它只是量表。 谢谢！ Alex M.

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