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  • RE: [参考译文] BQ34Z100EVM：电流和平均电流值始终为零；收到具有过时存储器映射的 BQ34Z100 EVM

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 [引用 userid="4931" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1169673/bq34z100evm-current-and-average-current-value-is-always-zero-received-a-bq34z100-evm-with…
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  • [参考译文] BQ76952EVM：BQ76952 EVM、显示切换时 PCHG 和 PDSG 显示1.7V 差异

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27524 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/933173/bq76952evm-bq76952-evm-showing-pchg-and-pdsg-showing…
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  • RE: [参考译文] BQ76200EVM-606：BQ76200的原理图检查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Faiz、 我们建议您使用大量缺失的组件。 我建议您查看以下应用手册和 EVM 用户指南： 超越简单应用原理图的 bq76200 bq76200高侧 N 沟道 FET 驱动器的 FET 配置 《bq76200EVM 用户指南》 DSG/CHG FET 的共点栅极引脚的电阻至少应为几百欧姆、 此外、您应该为每个 FET 添加一个10M Ω 栅极-源极电阻器、并可能添加一个齐纳二极管来钳制栅极…
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  • RE: [参考译文] BQ3050：Senc 或 gg 文件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 TRM 具有相关信息。 例如 C.6.3.2 Qmax Pack。 它表示该值仅在复位时读取。 另一个示例是 C.11.2.8 AFE OC DSG 2. EVM/测量仪表在出厂时已校准、但容差比要求的要宽。使用 bqEVSW 和高精度电压/电流进行校准、以实现更高的精度。 3. RSOC 将在不同的点由算法更新。 只有在完整的学习周期后、它才是准确的。 请参阅 TRM 第1…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z80：电池关闭问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Matthew，您好！ 您是否启用了生命周期数据？ 您应该能够查看飞行期间是否设置了任何保护措施。如果设置了保护措施。 您可以在zip中共享srec吗？ 您的SREC是否未密封？ 如果我上载它，否则如果我没有密钥，它将使我的EVM无法工作。 TRM：5.12 充电禁用和放电禁用中描述了导致仪表禁用DSG FET的所有条件。 此致， Wyatt Keller

  • RE: [参考译文] BQ77915：充电 FET 未导通

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes： CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言： 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…

  • RE: [参考译文] BQ77915：充电 FET 未导通

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes： CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言： 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…

  • RE: [参考译文] BQ77915：充电 FET 未导通

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes： CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言： 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…

  • RE: [参考译文] BQ77915：充电 FET 未导通

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes： CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言： 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…
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  • [参考译文] BQ28Z610-R1：在电池完全放电的情况下运行

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/926673/bq28z610-r1-operation-in-battery-fully-discharged 器件型号： BQ28Z610-R1 您好！ 您能告诉我下面的理解是正确的吗？ 如果…

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