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  • [参考译文] BQ76952：BQ76952 PDSG 和 PCHG 问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ76952 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1387027/bq76952-bq76952-pdsg-and-pchg-question 器件型号： BQ76952 …
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  • RE: [参考译文] BQ3050EVM-001：BQ3050应在 CUV 时关断/断开

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Shirish、 我们已经检查了 EVM 板上提供的所有测试点 ，但我们看到 CHG 和 DSG FET 栅极端子上的这个26.46V 电压。 进行测量 电池组端子、使用数字万用表。 充电和放电工作正常。 从数据表(第6页)可以看到此电压似乎正常。 所有测试点测量如下 (电池充满电100%)： 电池组+= 16.35V 保险丝引脚= 0.05V VCC = 15.96V…
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  • RE: [参考译文] DRV8837：有关直流自动虹膜控制的咨询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我可能错了、但我认为这意味着电机驱动器现在已集成到虹膜机制中。 我怀疑驱动器上的"DRIVE+"和"DRIVE-"是 VM 和 GND、而 CONTROL-/Control+是驱动器上的 IN1和 IN2。 如果是这种情况、您根本不需要像 DRV8837这样的电机驱动器-您只需将两个从 MCU 到 control+/-引脚的 GPIO…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：BQ76952：退出 DEEPSLEEP 模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好， Luis H. S 根据 您的回答，我使用 TI 的 BQ76952 EVM 板进行测试，当将 Alarm Status ()[WAKE]从0更改为1时，所有 FET 开始打开，所有 FET 只需不到2ms 的时间即可打开， ？需要远小于250ms 的时间来开启所有 FET Δ T、并且 在将 Control Status () [DeepSleep ]从1更改为0后、所有 FET…

  • RE: [参考译文] BQ40Z50EVM-561：BQ40Z50EVM-561

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mark、您好！ 目前所有的电池电量监测计几乎都遵循相同的设置流程、需要相当多的研究、推荐 BQ40z50、并参考数据表硬件设置、软件设置技术参考手册和系统植入 EVM。 在设置过程中、我首先在校准选项卡中对不同的器件进行校准。 然后、我将更新数据存储器表中的关键参数。 然后、我会运行 GPCCHEM 计算器、得到一个差异误差为3%的 chemID。 使用 BQStudio、我将重新运行学习周期…
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  • RE: [参考译文] CSD19532Q5B：适用于电磁阀的 MOSFET 选型(峰值能耗为40W)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alev： 对于输入滤波器值、我建议使用10到100欧姆之间的电阻器值和10到200 pF 之间的电容器值。 作为参考、我们的 EVM 使用49.9欧姆和10pF。 如果您使用 DSG 封装、则可以选择使用 IN+或 IN-。 如果您仅使用 IN+、则应将 IN-连接到 GND。 如果您仅使用 IN-、则应将 IN+与 VDD 相连。 需要使用自举电容器来驱动高侧…

  • RE: [参考译文] BQ40Z80：TI 中的化学物质注册

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kim、 您收到的电子邮件是由于使用了 GPCCHEM 计算器工具。 我坚持使用误差差异最小的 ChemID、但我们的 TI 团队不与电芯制造商合作、这意味着您必须联系电芯公司 、了解在使用 BQStudio 软件方面产品之间的差异。我首先要在"Calibration"选项卡中对不同的单元进行校准。 然后、我将更新数据存储器表中的关键参数。 然后、我会运行 GPCCHEM 计算器并得到一个差异误差较大的…
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  • RE: [参考译文] BQ27Z746：关断模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sobin、 Unknown 说： ut 即使我们连接充电器/将 Enab 拉低、该电量计也不会进入正常模式 这取决于您推入的电流大小以及您设置正常模式参数的方式、我建议您查看退出条件参数 Unknown 说： 如果器件在 自动关断时间后禁用 CHG 和 DSG FET、它处于什么模式？ 移除电池并重新插入电池后、它将启用其 CHG 和 DSG FET。 当电流在检测电阻上移动时…
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  • RE: [参考译文] BQ76920：BQ76920 + BQ78350-R1+ BQ76200 BMS 设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Unknown 说： 只要二极管的电压不干扰正常运行、这种情况应该是可以的。 Unknown 说： 我打算同时使用由 bq76200驱动的高侧 MOSFET 以及 bq78350-R1和 bq76920。 负载检测和充电器检测如何与此高侧配置配合使用？ 为 TIDA-01093 对如何使用此配置进行负载/充电器检测进行了一些讨论和电路。 不过、这些电路与主机 MCU 连接以做出决策…
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  • RE: [参考译文] BQ27750：CUV 触发后、BQ27750无法充电

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 这是使用定制 PCB 还是 EVM？ 当 DSG FET 关断时、充电电流必须流经 DSG FET 的体二极管为电池充电。 有时、这会妨碍充电。 您是否仅在 DSG FET 关断时看到此问题？ 此致、 Wyatt Keller

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