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RE: [参考译文] BQ77915:充电 FET 未导通
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes: CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言: 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…
2 年多前
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RE: [参考译文] BQ77915:充电 FET 未导通
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes: CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言: 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…
2 年多前
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RE: [参考译文] BQ77915:充电 FET 未导通
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes: CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言: 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…
2 年多前
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RE: [参考译文] BQ77915:充电 FET 未导通
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Johannes: CTRD 和 CTRC 引脚设计为连接到基底器件上方堆叠的另一个 BQ77915器件、从而允许堆叠中更高位置的 BQ77915控制 CHG 和 DSG FET。 目前、CTRC 和 CTRD 引脚的连接方式可能导致问题。 两者都应在不使用电阻器的情况下直接连接到 GND。 就 VTB 和 TS 连接而言: 使用10k 电阻器代替热敏电阻实际上会将器件置于…
2 年多前
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RE: [参考译文] BQ40Z50-R2:COV 放电控制
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好 Joe、 这是否发生在您的所有电路板上? 您可以在其他 EVM 上尝试一下吗? 您能否获得 DSG FET 运行的示波器抓取? 此致、 Wyatt Keller
6 年多前
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RE: [参考译文] BQ4050:支持单节电池
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Howard、 这些只是测试条件、我使用 EVM 进行了测试、在为监测计提供3V 电压时、CHG 和 DSG 引脚上的电压都能达到大约10V。 CEDV 监测计确实提供了更好的价格。 此致、 Wyatt Keller
5 年多前
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RE: [参考译文] BQ34Z100-G1:请帮助说明 ChemID 和电池学习循环
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以下是快速分步指南: 1.按照快速入门指南安装并运行 EVM。 请参阅 bq34z100-G1Texas Instruments 的快速入门指南:// www.ti.com›文献›pdf›sluubv2 2.使用单节电池(不是整个电池)执行受控充电/放松/放电/放松序列并获取 GPCCHEM 应用软件和框架中所述的 ChemID Texas Instrumentshtps://www…
3 年多前
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RE: [参考译文] BQ40Z50EVM-561:为什么xchg,XDSG,PF,SOV,SOT始终为红色?
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Andrew,您好! 这与之前在接线柱上提到的问题相同,即如果负载恒定且充电器没有用于充电的滞后且始终应用电流,则CHG FET将如何启用DSG电流阈值越低。 我现在找不到确切的帖子,但它应该是您之前的帖子之一。 您发送的Excel看起来EVM的行为与您的主板相同,而且所有的行为都与我预期的一样,它将缓慢地向电池中脉冲更多电流,直到触发SOV。 此致, Wyatt Keller…
4 年多前
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RE: [参考译文] BQ40Z50-R3-DEVICE-FW:轮询 MaxError 会导致电池短暂断开
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Albert、 我不使用 EVM 或 BQStudio。 我们的应用程序中出现问题。 我的意思是、DSG FET 看起来是被禁用的、应用在这段时间内不由电池供电。 该问题可能会持续出现、并且在从应用固件中删除寄存器轮询时不会出现。 因此、原因必须与轮询有一定关系。
5 年多前
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RE: [参考译文] BQ76920:评估板、在哪里连接充电器?
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Soren: CHG 和 DSG 或 EVM 上的组件必须有问题。 您能否使用示波器来捕获 BQ76920的 CHG 和 DSG 以及 PACK-和 BAT-? 您应该会看到 PACK-随着 FET 的启用而变为低电平。 此致、 Matt
7 年多前
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