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  • RE: [参考译文] BQ76200：当 PM_EN 引脚由 MCU 3.3V 升高时，DSG 和 CHG 引脚输出摆动发生

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 加布里埃尔： PMON_EN 在 Pack 引脚上提供负载，以偏置 PACKDIV 的开关。 图8是一个简化的图表，不包括 Pack 引脚的连接或显示通用组件值。 包装应连接到包装(或放电 FET 源)的 Pack+端子，通常使用小过滤器连接，如表1图表，典型应用图或 BQ76200数据表的图15或 EVM 示意图所示， 或应用报告 slua794中的各种图表。 如果 Pack…
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  • RE: [参考译文] BQ2980EVM-883：指南步骤的说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 再次感谢路易斯。 不过，后续问题比较多。 [引用 userid="450206" url="~ë/support/power -management/f/power -management-forum/1080660/bq2980evm-883-guideo-On-guideo-steps /4003786#4003786"]是的，这 是为设备供电的方法之一，可能是最简单的。 在我们的一些…
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  • RE: [参考译文] BQ76940EVM：DSG CHG 异常状态

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zhang、 我在描述或状态中看不到任何内容。 您提到了 BQ76940EVM、但电压仅显示11节电池中的10节。 48mV 将低于 UVMINQUAL、不会导致 UV、UV 将仅关闭 DSG。 您可能需要了解其他4个电池单元对系统的作用。 状态寄存器位应同时在地址0处读取。 DSG_ON 和 CHG_ON 来自寄存器5、需要在单独的时间读取。 您可以查看代码以确保不会对控制寄存器进行写操作…

  • RE: [参考译文] BQ76952：无法执行放电

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Saranya、 如果 BQ76952未检测到放电模式、则可能有两种错误。 1-配置错误 2 - BQ76952未检测到绝对值大于睡眠电流的放电电流。 默认情况下、休眠电流为20mA。 配置完整性检查： CC 增益反映了感应电阻器的值。 我会将该值设置为2、因为您使用的是2m Ω 电阻器。 请参阅下面的默认配置 [引用 userid="539684" URL"~/support…

  • RE: [参考译文] BQ25883：BAT 输出与 PACK 输入

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ed、 我不认为是监测计打开和关闭电荷、如果您使用与 EVM 类似的原理图进行测试、栅极电压在禁用时应降至0V。 使用寿命数据可以让我们了解是否有任何超出预期的情况、对我来说似乎可以。 充电器是否在打开周期和关闭周期的低电平周期期间切换？ 看起来监测计会使 FET 保持断开状态、而 CHG 和 DSG 引脚只是随着充电电压的变化而变化、而不是完全关断。 此致、 Wyatt…

  • RE: BQ3060遇到的问题

    您好！ 对于新设计，我们不建议您用 bq3060 ， 你有考虑过 bq40z50-R2 吗？ 1 请遵从手册上的步骤来操作 www.ti.com/.../sluu342a.pdf 。见 A.21的描述，当芯片校准，请使用ChargingCurrent(0x14)去读取mA级的充电电流。battery mode(0x03)的ChgM 位有使能给Smart Battery Charger传递ChargingCurrent 与 ChargingVoltage的功能。如果您想要控制保护FETS的充放电， 可以设置 OC Chg…

  • RE: [参考译文] BQ40Z60：BQ40Z60 -它不能对电池充电。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 经过一些调试(重新焊接等)后、允许较小的充电电流(60mA 至100mA)流动。 但它仍然不像 EVM 板那样工作。 我们回顾了电路的几个部分、发现： 1.根据 FET_EN 的 DSG 电压低于 EVM 板(12 ~ 13V) 2. pH 波形不同(附图) e2e.ti.com/.../20180620_5F00_2.gg.zip
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  • RE: [参考译文] BQ4050：CHG 正常、但 DSG MOSFET 未导通

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Harald、 我认为您的原理图有问题。 您需要查看原理图并将其与 EVM 用户指南中的参考原理图进行仔细比较。 我这么说是因为 DSG 标志正在被设置、这意味着监测计正在发送正确的信号、您的电路板上的某个东西会阻止 DSG 引脚被实际控制。 谢谢 Onyx

  • RE: [参考译文] BQ25798：BQ25798

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 我们已将电源直接连接到 DSG FET、绕过 BQ25798、并连接了 DL3021A 来模拟电池、而不会出现任何问题；我们看到了电流阱。 也对实际电池执行了该测试；同样、未遇到问题。 在环路中使用 BQ25798进行测试会导致没有电流吸收、BATFET 保持禁用状态。 读取数据表的第8.3.3节和第8.3.4节、我们执行了几种测试场景。 情况 ：通过输入源…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z60：不能切断 DSG FET 保护，导致 MOS FET 烧毁(CHG &放大器；DSG FET 独立路径设计)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Terry： 感谢您的解决方案、 根据您的建议、我尝试在 HSRN 和 PGND 之间添加1K 电阻器(甚至低至500R)。 并在 FET 关闭和充电器打开下进行测试(19V 维护) DSG FET (VGS)中仍然存在较小的泄漏电压(大约1.5V 至1.8V)、这会导致 DSG FET 导通。 首先、我必须确认是否可以将 Bq40z60应用于分离路径的设计？ 如果可以…

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