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  • RE: [参考译文] BQ76952：BQ76952：退出 DEEPSLEEP 模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好， Luis H. S 根据 您的回答，我使用 TI 的 BQ76952 EVM 板进行测试，当将 Alarm Status ()[WAKE]从0更改为1时，所有 FET 开始打开，所有 FET 只需不到2ms 的时间即可打开， ？需要远小于250ms 的时间来开启所有 FET Δ T、并且 在将 Control Status () [DeepSleep ]从1更改为0后、所有 FET…
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  • RE: [参考译文] BQ3050EVM-001：BQ3050应在 CUV 时关断/断开

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Shirish、 我们已经检查了 EVM 板上提供的所有测试点 ，但我们看到 CHG 和 DSG FET 栅极端子上的这个26.46V 电压。 进行测量 电池组端子、使用数字万用表。 充电和放电工作正常。 从数据表(第6页)可以看到此电压似乎正常。 所有测试点测量如下 (电池充满电100%)： 电池组+= 16.35V 保险丝引脚= 0.05V VCC = 15.96V…
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  • RE: [参考译文] CSD19532Q5B：适用于电磁阀的 MOSFET 选型(峰值能耗为40W)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alev： 对于输入滤波器值、我建议使用10到100欧姆之间的电阻器值和10到200 pF 之间的电容器值。 作为参考、我们的 EVM 使用49.9欧姆和10pF。 如果您使用 DSG 封装、则可以选择使用 IN+或 IN-。 如果您仅使用 IN+、则应将 IN-连接到 GND。 如果您仅使用 IN-、则应将 IN+与 VDD 相连。 需要使用自举电容器来驱动高侧…
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  • [参考译文] BQ27427：电量监测计向后计数、也向后标记

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    Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO , BQ27427 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1409677/bq27427-gauge-counts-backwards-flags-backwards…
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  • RE: [参考译文] BQ76920：BQ76920 + BQ78350-R1+ BQ76200 BMS 设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Unknown 说： 只要二极管的电压不干扰正常运行、这种情况应该是可以的。 Unknown 说： 我打算同时使用由 bq76200驱动的高侧 MOSFET 以及 bq78350-R1和 bq76920。 负载检测和充电器检测如何与此高侧配置配合使用？ 为 TIDA-01093 对如何使用此配置进行负载/充电器检测进行了一些讨论和电路。 不过、这些电路与主机 MCU 连接以做出决策…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：对主 FET 控件进行建模

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ "引脚等效图"应用手册和任何其他公共文档的内容限制了我们对器件内部信息公开共享的内容、超出该限制涉及专有信息。 遗憾的是、我们没有电荷泵模型、我们也无法分享其设计的详细信息。 我做了一些挖掘、发现了这篇关于电荷泵( 链接 )的文章、它可能提供了一些关于电荷泵建模的指导。 我认为、在 EVM 或定制电路板上测试不同的 FET 仍然是获得更准确数据的最佳选择…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：对主 FET 控件进行建模

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ "引脚等效图"应用手册和任何其他公共文档的内容限制了我们对器件内部信息公开共享的内容、超出该限制涉及专有信息。 遗憾的是、我们没有电荷泵模型、我们也无法分享其设计的详细信息。 我做了一些挖掘、发现了这篇关于电荷泵( 链接 )的文章、它可能提供了一些关于电荷泵建模的指导。 我认为、在 EVM 或定制电路板上测试不同的 FET 仍然是获得更准确数据的最佳选择…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：对主 FET 控件进行建模

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ "引脚等效图"应用手册和任何其他公共文档的内容限制了我们对器件内部信息公开共享的内容、超出该限制涉及专有信息。 遗憾的是、我们没有电荷泵模型、我们也无法分享其设计的详细信息。 我做了一些挖掘、发现了这篇关于电荷泵( 链接 )的文章、它可能提供了一些关于电荷泵建模的指导。 我认为、在 EVM 或定制电路板上测试不同的 FET 仍然是获得更准确数据的最佳选择…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z50-R2：DSG 引脚电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Tugba： Unknown 说： 其中一个显示 Im 在门和接地之间测量时为8V 这听起来是"好"的设计将 FET 关闭了。 如果栅极电压与电池电压的电压电平相同、则意味着 FET 关断(栅极至源极=~0V)。 有关数据表中的更详细说明、请参阅下面的。 通常、监测计不控制 FET 的热。 该电量监测计具有测量 FET 温度的功能、如果配置正确、它将触发警报…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z50-R2：DSG 引脚电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Tugba： Unknown 说： 其中一个显示 Im 在门和接地之间测量时为8V 这听起来是"好"的设计将 FET 关闭了。 如果栅极电压与电池电压的电压电平相同、则意味着 FET 关断(栅极至源极=~0V)。 有关数据表中的更详细说明、请参阅下面的。 通常、监测计不控制 FET 的热。 该电量监测计具有测量 FET 温度的功能、如果配置正确、它将触发警报…

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