• [参考译文] TPD1E05U06：HTRB (P/N：TPD1E05U06DPYR)

  

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  • 5 个月前
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• [参考译文] TPD1E05U06：TPD1E05U06DPYR

  

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  • 10 个月前
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• [参考译文] TPD1E05U06：Storage IC TPD1E05U06DPYR；TPD4E05U06DQAR

  

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  • 9 个月前
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• [参考译文] TPD1E05U06：TPD1E05U06DPYR

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] TPD1E05U06：TPD1E05U06DPYR 所有导线材料为金、5月20日之前量产？

  

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  • 6 个月前
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• TPD1E05U06: 关于TPD1E05U06 ESD器件的IL仿真

  

  Peter Ding

  TI 认为已经解决

  Part Number: TPD1E05U06 该ESD器件是并联到电路中使用如图1，在使用ADS仿真插损时，按并联方式搭建电路图2，仿真出来的插损如图3。相反按串联方式搭建电路如图4，仿真结果看起来反而是正确的，如图5. 问题1、帮忙看下仿真串扰哪种搭建方式以及结果是正确的。 问题2、图5中的结果是0.2左右，而规格书给出的值比较大如图6大约在1db左右，应该以哪个为准 仿真用的模型是TI官网下载的

  • 2 年多前
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• [参考译文] TPD1E05U06：TPD1E05U06 ESD 器件的 IL 仿真

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] TPD1E05U06：TPD1E05U06DPYR 的时基故障率

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] TPD1E05U06：接口论坛

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] TPD1E05U06-Q1：4通道 ESD 时间表

  

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  • 10 个月前
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