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RE: [参考译文] TPL5100:MOS_DRV 时间问题
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 根据操作的数据表说明、T_mos_drv 脉冲宽度固定为表6.5中给出的典型值31.25ms。 图7.3.2.1通过图6确认了这一点。 如果在 MOS_DRV 变为低电平之后的两个内部振荡器周期内接收到 DONE、则 T_MOS_drv 可以短于31.25ms (两个内部振荡器周期为31.25ms)。 我订购了
TPL5100EVM
、以确认实际器件行为与数据表相匹配。 不过…
5 年多前
时钟和时序(参考译文帖)
时钟和时序(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] TPL5110EVM:-有关 MCU 在启动后重新初始化的问题
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、LB、 问题1. TPL5110EVM 将在"关断时间"期间完全切断 MCU 的电源。 这意味着、当它再次恢复到"打开时间"时、MCU 的行为就像、只需上电、就必须重新初始化其所有例程、它是否消耗更多的功率而不是从睡眠状态唤醒? A1。 随着编程时间间隔的增加、TPL5110将始终消耗更少的电流。 在将使用 TPL5110的系统与在睡眠模式下使用…
6 年多前
时钟和时序(参考译文帖)
时钟和时序(参考译文帖)(Read Only)
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