Search tips
Showing 131 results View by: Thread Post Sort by

  • TPS23754EVM-383: TPS23754EVM-383更改adapter的设计

    TI Thinks Resolved
    Part Number: TPS23754EVM-383 Other Parts Discussed in Thread: TPS23754 根据 TPS23754EVM-383做了以上修改，Adapter放在变压器次级，请问： 1、如上电路是否可行？ 2、如可行，如何修改VOUT从12V至13V？ 3、开关变压器是否可以直接用 PA2649NL 4、TPS23754的APD或者其他引脚，需要做什么处理？

  • TPS23754: TPS23754EVM-383

    Part Number: TPS23754 请问一下Ti的专家，为了优化TPS23754EVM-383的PCB尺寸，有如下疑问 1、L3的最小电感值与额定电流值可以选择多少？ 2、C14是否可以选择0805封装的MLCC代替铝电解电容？

  • TPS23754EVM-383: PD输出1V，变压器间歇啸叫！

    TI Thinks Resolved
    Part Number: TPS23754EVM-383 参考TPS23754EVM-383设计的板子，无法输出12V电压，且变压器规律啸叫，目前没找到问题！
    • Answered

  • [参考译文] TPS23754EVM-383：TPS23754EVM-383和 PMP9563的设计源文件

    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: TPS23754EVM-383 , PMP9563 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1258092/tps23754evm-383-design-source-file…
    • Resolved

  • TPS23754EVM-383: TPS23754 POE供电空载时MOS管发热严重

    Part Number: TPS23754EVM-383 您好， 我这边设计POE模块，基本完全参考TPS23754EVM-383的原理图设计（差别：去掉的适配器供电部分，PPD悬空，APD接到AGND上），Rcls使用63.4欧即class4，VOUT输出为12.05V; 接上POE供电后，Q3和Q5区域慢慢开始发热，工作5分钟后，手摸上去有点点烫。 请问下TPS23754EVM-383的参考设计空载时本身就会发热严重吗？是否有相应有解决方案。谢谢！
    • Answered

  • [参考译文] TPS23754EVM-383：计算电阻器和电容器值 ​​in 环路补偿电路。

    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: TPS23754EVM-383 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392550/tps23754evm-383-calculating-resistor-and-capacitor…
    • Resolved

  • TPS23754EVM-383: 请教一下L1这个电感的作用

    TI Thinks Resolved
    Part Number: TPS23754EVM-383

  • [参考译文] TPS23754EVM-383：TPS23754EVM-383：

    Other Parts Discussed in Thread: TPS23754EVM-383 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1177478/tps23754evm-383-tps23754evm-383 器件型号： TPS23754EVM…

  • TPS23754EVM-383: 使用TPS23754EVM-383参考设计发现初级侧mosfet Vds电压超压，超过150V，麻烦帮忙分析一下原因

    TI Thinks Resolved
    Part Number: TPS23754EVM-383 4353.vx700ar_230600.pdf 附件为原理图设计，使用示波器测量C646相对于POE+电压波形，ch2：Vd对POE+，ch3：GND_RTN对POE+，粉色为CH2-CH3； gate2频率为240KhZ，占空比22.585,麻烦看一下是哪里有问题。
    • Answered

  • [参考译文] TPS23754EVM-383：有关 TPS23754的问题

    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: TPS23754 , TPS23754EVM-383 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1251593/tps23754evm-383-question-about-t…
    • Resolved

Didn't find what you are looking for? Post a new question.