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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：使用高侧开关驱动电感负载时、如何选择二极管？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Checnchen、 若要使用外部二极管进行电感性负载处理、请确保二极管的额定功率达到耗散电感能量所需的功率等级、并且必须正确选择触发电压(例如 TVS 的击穿电压)。 二极管必须在内部 VDS 钳位触发之前触发并启动传导、否则所有能量都会在 FET 中耗散。 我们过去使用过 SMC 和 SMB 二极管。 谢谢。 什雷亚斯

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：在电池反向的情况下、SNS 引脚上是否有通向 VBB 的路径？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chenchen： 请查看下图、它描述了反向电流流经的内部路径： 如需更多信息、请查看以下文档： https://www.ti.com/lit/an/slvae55/slvae55.pdf 谢谢。 什雷亚斯

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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：在电池反向的情况下、SNS 引脚上是否有通向 VBB 的路径？

  

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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：就像这张图片。 我们使用高侧开关来断开电感负载。 高侧开关关闭时、为什么 VDS = VCLAMP？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chenchen： 如果使用外部 TVS 或二极管进行感应退磁、则必须在内部钳位之前触发外部钳位、以避免任何能量通过 FET。 我们对 TPS2HB16-Q1没有类似的分析、但我们在13.5V 数据下确实有5mH 退磁情况： 谢谢。 什雷亚斯

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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：就像这张图片。 我们使用高侧开关来断开电感负载。 高侧开关关闭时、为什么 VDS = VCLAMP？

  

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• RE: [参考译文] TPS2HB16-Q1：电源管理论坛

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 因帖子重复而关闭。 请在此处找到您的问题的答案： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1288592/tps2hb16-q1-like-this-picture-we-use-a-high-side-switch-to-disconnect…

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• RE: TPS2HB16-Q1: 焊接覆盖率问题

  

  Johnsin Tao

  Hi 这个应该是经验数据，没有计算方式或者仿真的。

  • 1 年多前
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