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  • TPS48111Q1EVM: TPS48111-Q1 false short-circuit protection easily trigger

    Part Number: TPS48111Q1EVM Dear TI: When designing with the TPS48111-Q1, setting the overcurrent at 50A and the short-circuit current 120A, we found that the overcurrent and short-circuit protections are easily triggered, causing the VCC_OUT output voltage…
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  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：关于 TPS48111-Q1 的使用

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1624547/tps48111q1evm-regarding-the-use-of-tps48111-q1 器件型号： TPS48111Q1EVM 尊敬的团队： 如图所示、客户需要 5 个并联 TPS48111…

  • TPS48111Q1EVM: tps48111驱动多对并联MOS

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS48111Q1EVM 如下图所示：只有1对Q1,Q12 MOS管时，可以正常驱动开关；当并联Q2,Q14时，mos不能打开，pd/pu输出0。请问这个大概什么原因？谢谢！ mos管Qg约230nc，4个mos并联时，Cbst大概需要1uf电容。 当前Cbst是1uf， 修改成3uf也同样情况，不能驱动2对mos。
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  • TPS48111Q1EVM: 关于INP和INP_G默认电平的处理

    已解决
    Part Number: TPS48111Q1EVM 设计文件如上图所示 需要通过MCU控制主MOS和预充MOS 当前设计中主mos控制是直接与MCU相连，没有默认电平，因为手册中有描述该引脚默认下拉；在INP_G信号上，有预留默认的10k下拉电阻，并于MCU连接 如果实现默认上电主MOS和预充MOS关闭，通过MCU控制打开或者关闭；INP信号是否需要给默认下拉电平
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  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：询问 TPS48111 上 CS+和 CS−引脚之间的浪涌保护元件

    已解决
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  • TPS48111Q1EVM: 关于TPS48111的问题，能否帮忙看一下，Thks

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS48111Q1EVM 1、手册中VS的工作电压是3.5到80V，最大耐压值为100V，我们的钳位管的钳位电压为87.1V，是否有风险？ 2、预充电路的MOSFET通过TPS4811的G引脚控制栅极，但该引脚datasheet内未说明能抑制浪涌，未体现VGS保护，请问G引脚有抑制浪涌的功能吗？
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  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：推荐的电流检测方法

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1561111/tps48111q1evm-recommended-current-sensing-method 器件型号： TPS48111Q1EVM 工具/软件： 您好、 对于 TPS48111、建议使用…

  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：关于 Q1/Q2 EVM SOA 校准结果

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  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：如何区分过流和短路故障

    已解决
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  • [参考译文] TPS48111Q1EVM：源节点是否始终由驱动器拉至 V_BATT？

    已解决
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