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  • TPS51200: 关于TPS51200的EN管脚如何设计？

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS51200 我需要设计一块FPGA单板，上面会用到4颗DDR4芯片，上一个版本我使用了普通的LDO，在实际测试中VTT电压会升高到0.67V左右，猜测是由于需要灌电流引起的？ 所以这次想使用TPS51200来给VTT提供电源。但是我看参考设计中EN都接到了SLP_S3，我并没有这个信号。如果我把EN直接上拉接到VIN，TPS51200跟普通的LDO还有区别吗？ 规格书中的参考设计，Figure 31 中DDR3 Tracking Configuation的EN是直接接到Vin的…
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  • [参考译文] TPS51200：功率损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1436421/tps51200-power-loss 器件型号： TPS51200 工具与软件： 您好！ 应如何计算此 IC 的功率损耗？ 我将其用于 DDR4 Addr/Cmd/控制 VTT…
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  • [参考译文] TPS51200-TPS51200 EP：需要主题零件的 CTE (热膨胀系数)

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  • TPS51200: TPS51200DRCR(TI)给DDR_VTT&VREF 供电 0V6，上电后DDR抽电流超3A导致1V2上电不单调

    TI 认为已经解决
    Part Number: TPS51200 我司最近有个项目 DDR 供电电压 1.2V 上电不单调，不单调的原因是 DDR_VTT&VREF 0.6V 上电后 DDR 会抽超 3A 的电流，时间 40us 左右，超过了 1.2V 的输出电流 (3A) 导致 DCDC 来不及响应 电流正常是 1A 左右 帮忙看看为什么 TI 的芯片会导致 DDR 抽这么大的电流，谢谢 ~ 0.6V 用了 TI 的 TPS51200DRCR(TI) 电子料 _IC_ 电源管理类芯片 : Power IC,PM,For DDR/DDR2/DDR3/DDR4,2.5~3.3V…
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  • [参考译文] TPS51200：SPICE 模型

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  • [参考译文] TPS51200：VOUT 高于输入电压(VIN)、对吧？

    已解决
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  • [参考译文] TPS51200：电源设计验证

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS51200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1417737/tps51200-power-supply-design-verification 器件型号： TPS…
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  • [参考译文] TPS51200：针对 存储温度(对于 TPS51200MDRCTEP、元件的功能得到保证)

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  • [参考译文] TPS51200：针对 LPDDR4 DDR 端接的建议

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS51200 , TPS65296 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440117/tps51200-recommendation-for-lpddr4-ddr-…
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  • [参考译文] TPS51200：关于 TPS51200DRCR 的断电时序要求

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