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  • RE: [参考译文] TPS650860EVM-116：多余层

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 如果您有4个额外的层、我建议使用接地覆铜来填充任何未使用的空间。 通过4个额外的层、您还可以在数字信号和开关稳压器之间放置更多的层、但它们工作正常、因此优先级低。
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  • RE: [参考译文] TPS650860EVM-116：电感器下方的反馈线路

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 您是正确的-最好通过在电感器周围的更宽路径中布置 FB 来实现、从而更大限度地降低电感器引起的 EMI。 由于需要将所有 GPO 和 CTLx 信号路由到左上角、因此 EVM 信号层上有很多额外的信号。 如果删除了这些内容、则应将 FB 路径上移向右移、使其远离 L2。
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  • [参考译文] TPS650864：TPS6508640效率改进

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS650860EVM-116 , PMP12004-HE , TIDA-01393 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/969680/tps650864-tps6508640…
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  • RE: [参考译文] TPS65094：PMIC 的电感器选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 是的、如果您想在物理板上进行测试、可以使用 TPS650941EVM-116或 TPS650860EVM-116。 但是没有为此产品开发的模型。 TPS650941EVM-116可从 以下位置获取：store.ti.com/TPS650941EVM-116-TPS65094x-Evaluation-Module-P50503.aspx
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  • [参考译文] TPS43351-Q1：PMIC 选择

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS650864 , TPS51285B , TPS43351-Q1 , TPS650860EVM-116 , TPS53125 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/942012…
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  • RE: [参考译文] TPS650860EVM-116：使用 IPGUI 设置 Buck1的输出电压上升时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Michael、 您没有错过任何内容、没有关于输出电压压压摆率的编程选项。 不过、阶跃大小(10mV 与25mV)会影响压摆率。 如果您有兴趣、可以在 TPS650861 OTP 发生器中找到完整的编程选项。
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  • [参考译文] TPS650860EVM-116：Gerber 文件

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS650860EVM-116 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/895124/tps650860evm-116-gerber-files 器件型号： TPS650860EVM…
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  • RE: [参考译文] TPS650860EVM-116：TPS650860和 TPS650864之间的差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Michael、 TPS65086、TPS650861和 TPS650864都是相同的核心器件。 唯一的区别是存储在非易失性存储器(NVM)中的默认设置。 在一个系列上没有任何可用的设置、但在其他系列上没有。 仅包含 TPS650860A0RSK#的 TPS65086系列作为通用预编程器件发布、旨在展示 NVM 的示例、并允许客户使用 EVM 测试各种性能指标。 www…
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  • RE: [参考译文] BOOSTXL-TPS650861：编程测试

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 是的、您应该订购 TPS650861样片、并且可以使用 BOOSTXL-TPS650861以及 TPS65086100 OTP 发生 器和 IPG-UI 软件对这些器件的 OTP 存储器进行编程。 当您对 TPS650861样品进行编程以满足应用需求时、您可以将其焊接到 TPS650860EVM-116上以测试满载时的性能、也可以将编程的样品直接焊接到原型板上。

  • [参考译文] TPS650864：TPS6508641压降

    Other Parts Discussed in Thread: USB2ANY , TPS650860EVM-116 , IPG-UI , CSD87381P 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/881785/tps650864-tps6508641…

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