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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:未采用输出功率时的输入功率
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lars、您好! 感谢您在 E2E 上与我们的团队进行核实。 TPSI305x-Q1电源传输是恒定的、由 R_PXFR 设置。 未使用的功率就会烧坏。 如果您有进一步的问题、敬请告知。 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
6 months ago
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RE: [参考译文] [CERN] TPSI3050-Q1在这里适合吗? 需要三相交流接触器,安装在印刷电路板上
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好,Rodolfo: 遗憾的是、我们没有安装在 PCB 上的接触器替代产品、这里可以直接替代它们。 我们的3xxx 器件是驱动器、必须与选定的晶体管配对才能形成固态继电器。 如果您还有其他问题、敬请告知。 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
6 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050:TINA 模型
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Shaya、 我尝试将 TPSI305x-Q1 PSpice 模型导入 TINA、但存在与子电路参考相关的类似问题。 遗憾的是、我们目前不支持在 TINA 中仿真 TPSI305x-Q1。 请使用 PSpice for TI 。 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:连续驱动
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Mable: 在预充电应用中、我们通常 会看到整体预充电时间要求(例如400ms)。 选择 MOSFET 后、我建议您使用前面提到的 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)、输入 MOSFET 总栅极电荷、并确定 t_start 是否 适用于给定的 R_PXFR 。 例如、如果您的总预充电时间要求为10ms、并且您选择了一个总栅极电荷为100nC 的 MOSFET…
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:连续驱动
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Mable: 在预充电应用中、我们通常 会看到整体预充电时间要求(例如400ms)。 选择 MOSFET 后、我建议您使用前面提到的 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)、输入 MOSFET 总栅极电荷、并确定 t_start 是否 适用于给定的 R_PXFR 。 例如、如果您的总预充电时间要求为10ms、并且您选择了一个总栅极电荷为100nC 的 MOSFET…
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:在 EN-GND?之间添加电阻
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 David、您好! 一个问题可能是恒定的泄漏电流。 根据 EN 在2线制模式下的电压、 在 EN 上使用1-kΩ 下拉电阻时、泄漏电流可 介于6.5mA 至48mA 之间 。 将 外部 EN 下拉电阻增加到 100k Ω 可将 泄漏电流降至 65uA 至0.48mA 。 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:在 EN-GND?之间添加电阻
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 David、您好! 一个问题可能是恒定的泄漏电流。 根据 EN 在2线制模式下的电压、 在 EN 上使用1-kΩ 下拉电阻时、泄漏电流可 介于6.5mA 至48mA 之间 。 将 外部 EN 下拉电阻增加到 100k Ω 可将 泄漏电流降至 65uA 至0.48mA 。 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:如何选择 PXFR 来驱动 MOSFET?
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 感谢您与我们的团队进行核实。 通常、PXFR 是根据次级侧所需的功率进行选择的。 您能否提供有关您的应用的更多信息(即 MOSFET P/N、开关频率等)? 此致、 T·陈 固态继电器|应用工程师
7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1:VDRV 输出电压异常
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jie: 您能否分享客户系统的原理图? 还请提供连接到 VDRV 的任何晶体管的器件型号。 您在此处描述的所有行为对于
TPSI3050
-Q1都是异常的。 EN 在3线制模式下不会消耗电流、因此引脚降至4.1V 是没有道理的 当 EN 超过0.5*VDDP (SO 2.5V)时、VDDH 连接到 VDRV。 VDDH = 10.2V 而 VDRV = 8.3V 也没有意义…
7 months ago
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[参考译文] TPSI3050:TPSI3050 (S)驱动 SCR
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1312107/
tpsi3050
-
tpsi3050
-s-driving-scr 器件型号:
TPSI3050
您好! 我尝试在受控整流器应用中使用
TPSI3050
S 来驱动 SCR、但 TPSI 的内部直流…
7 months ago
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