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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：未采用输出功率时的输入功率

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lars、您好！感谢您在 E2E 上与我们的团队进行核实。 TPSI305x-Q1电源传输是恒定的、由 R_PXFR 设置。未使用的功率就会烧坏。如果您有进一步的问题、敬请告知。此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 6 months ago
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RE: [参考译文] [CERN] TPSI3050-Q1在这里适合吗？需要三相交流接触器，安装在印刷电路板上

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好，Rodolfo：遗憾的是、我们没有安装在 PCB 上的接触器替代产品、这里可以直接替代它们。我们的3xxx 器件是驱动器、必须与选定的晶体管配对才能形成固态继电器。如果您还有其他问题、敬请告知。此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 6 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050：TINA 模型

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。大家好、Shaya、我尝试将 TPSI305x-Q1 PSpice 模型导入 TINA、但存在与子电路参考相关的类似问题。遗憾的是、我们目前不支持在 TINA 中仿真 TPSI305x-Q1。请使用 PSpice for TI 。此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：连续驱动

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Mable：在预充电应用中、我们通常会看到整体预充电时间要求(例如400ms)。选择 MOSFET 后、我建议您使用前面提到的 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)、输入 MOSFET 总栅极电荷、并确定 t_start 是否适用于给定的 R_PXFR 。例如、如果您的总预充电时间要求为10ms、并且您选择了一个总栅极电荷为100nC 的 MOSFET…
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：连续驱动

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Mable：在预充电应用中、我们通常会看到整体预充电时间要求(例如400ms)。选择 MOSFET 后、我建议您使用前面提到的 TPSI305x-Q1计算器工具 (SLVRBI9)、输入 MOSFET 总栅极电荷、并确定 t_start 是否适用于给定的 R_PXFR 。例如、如果您的总预充电时间要求为10ms、并且您选择了一个总栅极电荷为100nC 的 MOSFET…
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：在 EN-GND？之间添加电阻

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 David、您好！一个问题可能是恒定的泄漏电流。根据 EN 在2线制模式下的电压、在 EN 上使用1-kΩ 下拉电阻时、泄漏电流可介于6.5mA 至48mA 之间。将外部 EN 下拉电阻增加到 100k Ω 可将泄漏电流降至 65uA 至0.48mA 。此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：在 EN-GND？之间添加电阻

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 David、您好！一个问题可能是恒定的泄漏电流。根据 EN 在2线制模式下的电压、在 EN 上使用1-kΩ 下拉电阻时、泄漏电流可介于6.5mA 至48mA 之间。将外部 EN 下拉电阻增加到 100k Ω 可将泄漏电流降至 65uA 至0.48mA 。此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：如何选择 PXFR 来驱动 MOSFET？

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。你好、Jimmy、感谢您与我们的团队进行核实。通常、PXFR 是根据次级侧所需的功率进行选择的。您能否提供有关您的应用的更多信息(即 MOSFET P/N、开关频率等)？此致、 T·陈固态继电器|应用工程师
- 7 months ago
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RE: [参考译文] TPSI3050-Q1：VDRV 输出电压异常

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Jie：您能否分享客户系统的原理图？还请提供连接到 VDRV 的任何晶体管的器件型号。您在此处描述的所有行为对于 TPSI3050-Q1都是异常的。 EN 在3线制模式下不会消耗电流、因此引脚降至4.1V 是没有道理的当 EN 超过0.5*VDDP (SO 2.5V)时、VDDH 连接到 VDRV。 VDDH = 10.2V 而 VDRV = 8.3V 也没有意义…
- 7 months ago
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[参考译文] TPSI3050：TPSI3050 (S)驱动 SCR

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1312107/tpsi3050-tpsi3050-s-driving-scr 器件型号： TPSI3050 您好！我尝试在受控整流器应用中使用 TPSI3050S 来驱动 SCR、但 TPSI 的内部直流…
- 7 months ago
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