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• RE: [参考译文] TXS02612：原理图回顾

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Denny's、 这应该很好、如果需要、电源可以处于相同的电压。

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612 μ s：配置

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Makoto、 您似乎在询问特定于该设计的问题、我 无法对其参考设计进行真正的评论、因为它不是来自 TI 的。 实现此器件所需的所有信息均位于数据表中。 实现方式可以与数据表第2页所示的图一样简单。

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：当 B1-Port 未被使用时、关于 VCCB1

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Yusuke、 是的、建议 VDDB1在1.1V 至3.6V 之间供电

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：使用 IBIS 模型时、50MHz 时不会达到2V

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Michael、 遗憾的是、IBIS 无法真正为 TXS 器件建模。 这些器件具有无源架构以及边沿速率加速器、因此难以对 IBIS 模型进行仿真。 由于该器件执行无源转换、最大数据速率实际上将由驱动"输入"的推挽驱动器(加上任何将限制此值的电容负载)决定。

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：SD 卡端的电压损坏

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Filip、 您的原理图是什么样子的、您最初的工作速度是多少？

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：替代器件

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢你。

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：SEL 后 SD 卡初始化

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Viaceslav、 该器件本质上是一个电平转换器多路复用器组合。 如果您不使用转换器、则不应从软件角度更改您操作 SDIO 接口的方式。

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：热阻

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您提供这些信息、以下是您想要的热额定值： θjc Ω(顶部)- 37.6C/W θjc (bot)-4.7 C/W

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：结温

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 如果器件长时间关断、结温将约为环境温度、并且在运行期间将根据提供的热规格而增加。 最高结温为150 C 这里有几个关于功耗和热性能主题的常见问题解答：

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] TXS02612：时序参数冲突：通道到时钟偏差和传播延迟

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Jason、 我会使用通道到时钟偏移规格、因为这将在输入同时转换时提供每个输出转换之间的差异。 根据电源趋势、传播延迟规格典型值可能稍微偏小。 根据器件的架构、1.7ns 的偏斜是合理的、而传播的跳变为4.2ns 至6.8ns (2.5V VCCB 与3.3V VCCB)。

  • 4 年多前
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