Answered

• RE: [参考译文] UCC20225：在直流电机全桥应用中为 LM5106芯片组使用 UCC20225的可行性

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jonghee： UCC21750栅极驱动器具有混合牵引结构、即并联的 NMOS 和 PMOS 用于上拉、NMOS 用于下拉。 上拉强度不是恒定的、因为它会随着栅极电压的增加而动态变化。 此常见问题解答提供了有关混合上拉结构的更多信息： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management…

  • 5 个月前
  • 隔离（参考译文帖）
  • 隔离（参考译文帖）(Read Only)
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225-Q1：通道 B 的电容 CVDD 计算公式和方法

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该值应为通道 B 的 MOSFET 负载的总栅极电荷。在数据表中、对于最大规格情况、为32nC。

  • 7 个月前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

• RE: UCC20225: 没有输出

  

  Johnsin Tao

  Hi datasheet给出的测试电路也是将 VSS1和VSS2短在一起的。所以仿真应该是默认这样的连接（非半桥式的连接）。 你的实际电路能放上来看看吗？

  • 1 年多前
  • 电源管理
  • 电源管理论坛
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225-Q1：动态死区时间

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andrei： 栅极驱动器 DT 引脚具有0.8V 的典型电压。 利用数据表中的此电压和死区时间公式、我们可以得出一个可基于电流使用的死区时间公式： dt (ns)= 10 * RDT (kΩ ) Vdt (V)= 0.8V RDT (kΩ )= VDT (V)/IDT (mA)= 0.8V/IDT (mA) dt (ns)= 10 * 0.8V/IDT (mA)…

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225-Q1：动态死区时间

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andrei： 栅极驱动器 DT 引脚具有0.8V 的典型电压。 利用数据表中的此电压和死区时间公式、我们可以得出一个可基于电流使用的死区时间公式： dt (ns)= 10 * RDT (kΩ ) Vdt (V)= 0.8V RDT (kΩ )= VDT (V)/IDT (mA)= 0.8V/IDT (mA) dt (ns)= 10 * 0.8V/IDT (mA)…

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225-Q1：动态死区时间

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andrei： 栅极驱动器 DT 引脚具有0.8V 的典型电压。 利用数据表中的此电压和死区时间公式、我们可以得出一个可基于电流使用的死区时间公式： dt (ns)= 10 * RDT (kΩ ) Vdt (V)= 0.8V RDT (kΩ )= VDT (V)/IDT (mA)= 0.8V/IDT (mA) dt (ns)= 10 * 0.8V/IDT (mA)…

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225-Q1：动态死区时间

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andrei： 栅极驱动器 DT 引脚具有0.8V 的典型电压。 利用数据表中的此电压和死区时间公式、我们可以得出一个可基于电流使用的死区时间公式： dt (ns)= 10 * RDT (kΩ ) Vdt (V)= 0.8V RDT (kΩ )= VDT (V)/IDT (mA)= 0.8V/IDT (mA) dt (ns)= 10 * 0.8V/IDT (mA)…

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

• RE: [参考译文] PMP8740：我们可以使用单个隔离式栅极驱动器、而不是一个栅极驱动器和一个脉冲变压器

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Chethan： 用 UCC20225取代栅极驱动器+脉冲变压器的组合是可行的。 相移全桥适合此类修改、因为大多数情况下、所有初级侧 MOSFET 都以50%占空比进行开关。 因此、始终提供连接到 UCC20225高侧隔离式驱动器的自举电容器。 仅在重突发模式下、您可能需要提供足够的电容、以避免关闭该高侧驱动器。 如果您具有最小负载、则突发模式始终足以为该自举电容器充电…

  • 10 个月前
  • 仿真、硬件和系统设计工具（参考译文帖）
  • 仿真、硬件和系统设计工具（参考译文帖）(Read Only)
Answered

• RE: [参考译文] UCC20225：略微超出 PCB 封装尺寸的 IC

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ella、 如果客户制造商可以保证 IC 将落入平台中、如下图所示、应该没有问题。 我看到的一个潜在问题是、在焊接回流过程中、IC 如果侧移过多、从 IC 引脚的一侧断开连接、如下所示。 如果所有引脚都仍然存在金属接触、我认为不会出现性能问题、但这是客户必须认识到的、与制造商沟通并确定是否需要这样做。 此致、 安迪·罗布勒斯

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

• [参考译文] LM5155-Q1：有关规格的一些问题

  

  admin

  Other Parts Discussed in Thread: UCC20225 , LM5155 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1296033/lm5155-q1-some-question-about-spec 器件型号： LM5155…

  • 11 个月前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。